日立开发出用于白色LED磊晶的GaN范本

日前，日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高品质氮化镓(GaN)单晶薄膜的GaN范本全新量产技术，并已开始销售。

透过将该产品用作“白色LED磊晶”的底层基板，可以大幅提高白色LED磊晶的生产效率及LED特性。因此，对于业界竞争十分激烈的白色LED制造商而言，该产品可望成为有效提升产业地位的解决方案。

白色LED磊晶的生长次数每天最多1～2次，如何实现高效率的生产方式，一直是个待解决的难题。为了解决这一课题，该公司开发出了采用MOVPE法生长的底层基板所使用的GaN范本。

GaN范本采用在蓝宝石基板上生长n型GaN层的结构。透过采用GaN范本，LED制造商将不再需要n型GaN缓冲层的生长制程，生长所需要的时间也将降至原来的一半左右。另外，采用该公司生产的GaN范本，还可以同时实现低阻化和高结晶性，也同样适用于需要较大电流的大功率LED。