乾照光电获得发明专利和商标注册证书

乾照光电近日获得中华人民共和国国家知识产权局颁发的发明专利证书和中华人民共和国国家工商行政管理总局商标局签发的商标注册证书，具体情况分别如下：

发明名称：掩埋式高亮度发光二极管结构

专利号：ZL201010140070.9

专利类型：发明专利

专利申请日：2010年3月30日

授权公告日：2013年6月12日

本发明公开一种掩埋式高亮度发光二极管结构，采用MOCVD、MBE或其他设备在基板生产外延层，外延层可以通过键合方式或某种方式转移到另一基板，出光层另一侧作为第一电极，通过掩膜保护，利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区，蚀刻深度越过有源层，再通过真空溅射设备掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层，隔离层上方或附近镀制第二电极。本发明提高了电流的注入效率和发光效率。

乾照光电表示，该发明在掩埋式高亮度发光二极管方面具有较强的创新性和领先性，该项专利将对公司核心技术的提升产生积极的影响。