IMEC与Veeco合作可降低GaN

比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。

IMEC的首席科学家Barun Dutta评论说，“Veeco MOCVD设备的生产力，可重复性，均匀性和晶体质量为我们在硅基氮化镓和LED应用的发展里程碑上起到了重要作用。启用该设备性能外延已经帮助我们实现最先进的D-模式(耗尽模式)和E-模式(增强模式)功率器件。我们的目标是建立一个完整的生产基础设施，使硅基氮化镓成为具备竞争力的技术。”

IMEC的多元伙伴硅基氮化镓的研究和发展计划，积聚业界共同开发世界级的氮化镓LED及兼容200nm的CMOS基础设施的200nm硅衬底功率器件。通过与IMEC联手，公司共享成本、人才和知识产权，以开发先进技术，将它们更快地推向市场。

Veeco高级副总裁兼总经理，Jim Jenson，评论说，“2011年以来，我们一直就这个项目与IMEC合作，并受到自身进步的鼓励。我们的合作是互惠互利的，因为我们都专注于能够实现更低的成本，同时保持硅基氮化镓器件的一流性能。这种技术可以用于实现较低的成本，使固态照明，更高效的电源设备适用于多种应用，如电源及适配器，光伏逆变器的太阳能电池板，和用于电动车的功率转换。