度过“十国混战”整合期,国产LED芯片将迎“三国”立体竞争
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“供过于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行业乱象之下,正孕育着新一轮的市场变革。
国内企业希望能够用1~2年的时间,让现在的LED芯片发光效率再提高30%~50%,发光亮度达到200lm以上。
国产LED芯片渗透率提高
国内芯片厂商在市场上凭借较高的性价比一步步提升了封装厂对国产芯片的接受度。
从2009年起,受国内各地方政府政策强劲支持以及巨大的显示、背光和照明市场的推动,中国LED外延芯片行业飞速发展。主要生产设备MOCVD机台的数量迅猛增长,从2009年的130台一跃增长至2012年年底的917台。
2013年,由于照明市场的快速发展,带动LED产业上、中、下游产能发挥,一定程度上减缓了自2011年下半年出现的产能过剩现象,行业开始回暖。上游外延芯片领域产能利用率也由2012年的不足三成提高到了目前的平均接近六成。市场方面,由于未来几年背光市场逐渐趋于饱和,需求将呈现平稳增长态势,下一个接棒的市场增长点将会来自照明市场。自2011年开始,国内照明市场开始逐渐起量,而到2013年,照明市场需求开始大幅增长。预计未来几年,照明市场将成为上游外延芯片厂商受益最大的细分市场。
在照明市场可期的大环境下,国内芯片厂商也通过不断引进技术、人才以及加大研发投入力度,使芯片制造技术水平大幅提升,并在市场上凭借较高的性价比一步步提升了封装厂对国产芯片的接受度,从中攫取到越来越多的市场份额。比如说在室内照明和商业照明领域,国产芯片的替代速度就非常快。近期有国内封装大厂负责人称:“这两年,很多大公司没有指定用谁的芯片,只要是芯片质量好,都可以接受。我记得三四年前,80%的芯片都采购中国台湾的或者是洋品牌,现在采购芯片,90%都开始采购中国大陆芯片。”甚至出现了客户主动要求采用大陆某品牌芯片的情形。
“增量不增利”之怪现象
今年设备市场需求增长稳定,但由于价格持续下降,导致设备整体销售额无明显增加。
受益于全球经济整体复苏以及终端照明市场的拉动,2013年前三季度,国内LED产业整体经营状况较去年同期明显改观。但由于受下游应用市场价格下滑大趋势和行业竞争加剧现状的影响,上游芯片厂商反而陷入毛利率下滑——“增收不增利”的尴尬困境。分析个中原因,上游芯片价格“跌跌不休”主要是由于前几年过度投资引发产能急剧扩张,而市场又一时无法完全消化引起的。供过于求所最终导致的高库存是造成芯片大幅跌价的根本原因。鉴于市场价格压力,厂商不得不以较低的价格抛售此前以高成本产出的芯片,从而影响了企业的毛利率水平,最终导致“增收不增利”。不仅是上游的芯片段,微利甚至是无利现象亦在下游照明以及更上游的设备业蔓延。以北方微电子公司为例,虽然整体上设备市场需求增长稳定,公司设备销售量增长较快,但由于价格持续下降,导致设备整体销售额与上年同期相当。
“供过于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行业乱象之下,正孕育着新一轮的市场变革。今年以来,业内频频出现扩产、并购甚至倒闭的事件,上游芯片行业开始呈现收拢集中的态势,未来中国的LED局面将由“十国混战”变为“三国鼎立”。产业整合的结果是行业资源越来越向优势企业集中,在LED上游外延芯片领域,未来将会形成以几家龙头企业为首的市场格局。目前的产品同质化严重,但长远来看,企业以“价格战”获取市场只是短期行为。近期企业间整合并购事件频出的现象,也是产业发展到一定阶段即需要淘汰落后产能、落后技术和落后管理的必经过程。
整合期过后是立体竞争
未来客户需求将不再是原先平面的、单一的,而将演变为多维的、立体的需求。
从各大媒体近期发布的2013年LED上游上市公司第三季报来看,主流芯片厂商处境已较去年同期有较大改善,芯片价格降幅也已收窄,部分企业芯片售价还可以达到与上季度持平的水平。有国内知名芯片企业负责人认为,接下来芯片价格既不会上涨也不会有太多下降。芯片产业马上就要进入一个产品性能比拼的时代。
业内的企业家不乏“价格战”后是“技术战”的论断,他们认为,现在的LED芯片,还远远没有达到理论的发光效果。在中国很多企业,包括外企,都在做一些更深层次的技术研发工作。国内企业希望能够用1~2年的时间,让现在的LED芯片发光效率再提高30%~50%,发光亮度达到200lm以上。他们同样也认为,技术战是真正拼企业实力的时候,因为研发需要大量投入。在这个阶段,很多企业如果跟不上,就只能是寄希望于下游其他替代产品的产生来刺激需求。
事实上,经过几年来市场的跌宕起伏,产业链各环节最终沉淀下来的企业也会变得更加成熟和理性,这种态度对照明市场尤为宝贵,毕竟能经得起时间考验、性能可靠的产品才能最终赢得客户。再追溯到产业链的上游,虽然降价对于客户的吸引力效果仍然直接,但降价已不再是让下游客户买单的唯一理由了。除了价格,性能及可靠性甚至品牌等都是客户考量的重要因素。不难看出,未来客户需求将不再是原先平面的、单一的,而将演变为多维的、立体的需求。作为企业自身来讲,寻找最大让利和最好服务两者兼具的平衡点才是最能打动客户的方法。或许我们可以认为,国产LED芯片后价格战时代的市场,正缓缓转身,迎面而来。
技术升级需提前布局
一代器件即会要求一代工艺、一代设备,设备企业要以领先一步的工艺解决方案为客户带来长远价值。
在半导体装备领域,造成国产设备占有率相对偏低的主要原因是中国芯片制造技术达不到世界领先,所以设备选型也以国外成熟工艺和设备为主。但对于蓬勃发展的中国LED产业,经历第一阶段的“无序竞争”后,步入整合优化阶段,会有更多的资源和潜力来实现技术创新。
为顺应这一行业发展形势,北方微电子公司提前研发了下一代设备并与客户进行合作验证。比如目前正在研发的一个项目是采用先进的Sputter技术制备优质的AlN缓冲层——即在蓝宝石衬底上生长一层AlN薄膜作为缓冲层。增加AlN缓冲层不仅可以更好地与蓝宝石进行晶格匹配,更可有效减少下一步外延生长时间、降低原材料消耗,最终达到提高产能并降低成本的目的。除此之外,AlN的导热性也远好于蓝宝石,可有效改善LED芯片的散热性,从而提升LED器件性能的可靠性。如果设备硬件设计合理,可有效解决AlN缓冲层沉积均匀性和重复性的问题,但要实现与后道工艺的匹配,则需要与外延芯片厂商进行合作工艺开发。目前国内已经有数家主流的外延芯片厂商积极与北方微电子配合进行AlN缓冲层配套工艺的开发,并以此作为未来差异化竞争的技术储备之一。
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