缩减LED/功率元件测试成本 PXI模组化SMU亮相
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LED半导体照明网讯 PXI模组化电源量测单元(SMU)仪器问世。高亮度发光二极体(LED)、绝缘闸双极性电晶体(IGBT)、金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)等需要SMU输出瞬间高瓦数的电源进行量测,然高瓦数的SMU往往价格昂贵,有鉴于此,美商国家仪器(NI)发布新一代PXI模组化SMU仪器,助力客户大幅降低测试成本。
美商国家仪器自动化测试东亚区行销技术经理张天生(左)表示,PXIe 4139颠覆传统SMU的设计与性能,准备在高功率半导体元件测试市场大展身手。右为美商国家仪器自动化测试行销经理潘建安
美商国家仪器自动化测试东亚区行销技术经理张天生表示,随着LED单价骤降,降低生产成本亦面临极大的挑战,遂让更具成本竞争力的PXI模组化测试仪器优势尽现,也因此,该公司持续推出采用PXI模组化架构开发的新款SMU仪器。
不仅是LED,IGBT、MOSFET等功率半导体元件亦需高瓦数的SMU进行测试,但随着LED和功率半导体元件的价格直落,半导体厂商已愈来愈无力负担售价高昂的高瓦数SMU,将让PXI模组化SMU势力有机会在测试仪器市场抬头。
美商国家仪器自动化行销经理潘建安指出,不同于市面上的SMU仪器仅有八个通道,该公司新推出的SMU机台PXIe 4139可扩充多达十七个通道,不仅测试速度快三倍,更可藉此减少测试成本。
据了解,PXIe 4139可应用于LED封装和终端,以及功率半导体元件的研发及产线端。张天生强调,由于PXIe 4139测试速度快又精准,且测试量大,因此在产线端更能彰显其价值。
除大大降低测试成本之外,PXIe 4139也改善传统SMU暂态响应(Transient Response)不够快速精确的弊病。张天生说明,美商国家仪器挟独有的SourceAdapt技术,消弭传统SMU暂态响应过慢的缺陷,因此不会再发生因电压或电流过冲(Overshooting)而造成待测物损毁的情形,有助进一步提高测试效率。