【技术讲座】耐氧耐水的有机EL元件“iOLED”(上)
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我们正在研发薄型、轻量、可弯曲的柔性显示器(图1)。如果能推进这类显示器的技术开发,就可以实现随时随地观看高画质影像信息的移动电视,而且,将来家中有望导入可获得身临其境般的高临场感的超大屏幕电视。因为产品轻量可弯曲,容易搬进房间内。实现柔性显示器的关键技术是耐氧耐水的有机EL元件,我们在全球率先展开了研究开发。
图1:计划实现柔性显示器
如果能实现柔性显示器,影像内容的视听方式将发生变化。小型显示器将可以自由搬运,100英寸级的大屏幕显示器也有望导入家庭。通过提高耐氧、耐水的有机EL元件“iOLED”的性能,采用塑料基板的柔性显示器有望延长寿命。
劣化的主因是碱金属
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode:OLED)或有机EL元件是层积了非常薄的有机膜的自发光型元件,有望实现超薄型显示器,可以说是最适合柔性显示器的显示技术。近年来,采用有机EL元件的柔性显示器研究取得了一些显著进展,2013年5月举行的国际会议“2013 SID International Symposium, Seminar & Exhibition”(SID 2013)上, 也报告了326ppi(pixel per inch)等精细度非常高的显示器,以及最大尺寸为14.7英寸左右的显示器。
以往的普通有机EL元件(普通OLED)先在基板上形成透明阳极——ITO膜(Indium Tin Oxide:氧化铟锡),然后在其上成膜空穴运输层(HTL)、发光层、电子运输层(ETL)等多种有机层,最后形成电子注入层(EIL)和阴极(图2(a))。通过从外部为元件加载电压,从阴极注入电子,从阳极注入空穴,在发光层复合。通过复合激发有机分子,从而发光。
图2:普通OLED与iOLED的积层构造差异
普通OLED是把在基板上成膜的ITO用作阳极(a),而iOLED将其用作阴极(b)。
普通OLED采用的EIL和阴极材料是碱金属(锂、铯、钡)以及铝等功函数低、空气活性高的材料,因此在大气中受到氧气和水分的影响后,阴极部会发生氧化等,从而导致劣化。所以,采用普通OLED的产品,需要用玻璃和粘合剂进行密封。
这是造成有机EL显示器和有机EL照明器具成本高的因素之一,也是实现柔性显示器和照明器具的一大障碍。
高品位阻挡层课题多多
NHK放送技术研究所以前利用普通OLED试制了柔性有机EL显示器(图3)。如截面构造所示,各像素由像素选择用晶体管(Sw TFT)、像素驱动用晶体管(Dr TFT)以及普通OLED构成。基板和封装膜采用Poly-Ethylene Naphthalate(PEN)薄膜,为保护显示器内的普通OLED电子注入层和阴极不受大气中的水分和氧气影响,还形成了阻挡层。
图3:柔性有机EL显示器容易劣化
NHK技研试制的5英寸柔性有机EL显示器及其截面构造。采用柔性塑料基板时,很难完全阻挡住大气中的氧气和水分浸入。受氧气和水分的影响,柔性有机EL显示器会发生劣化。
普通OLED需要实施水蒸气透过率和氧气透过率都差不多为10-6g/m2/day级别的密封。此次虽未评价阻挡层的阻隔性能,但经过较长时间后,在大气中存放的显示器出现不发光的部分,观测到了大幅劣化的现象(图3)。估计这是因为试制的显示器缺乏足够的阻隔性的缘故。
还有报告显示,有的阻挡层具备水蒸气透过率高达10-6g/m2/day左右的高阻隔性,不过大多是采用窒化硅(SiN)等硬材料时,而在薄膜上形成阻挡层时,弯曲耐性则不明确。能否在大面积基板上形成均匀且高品位的阻挡层等也不得而知。因此,采用PEN等柔性基板的柔性显示器的长寿命化是实用化面临的最重要课题。
ITO从阳极改到阴极
作为解决该课题的对策之一,近年来不使用任何碱金属等高活性材料的“逆构造OLED(inverted OLED:iOLED)”受到了较大的关注。iOLED的电极积层构造与普通OLED相反(图2(b))。例如,从基板方向提取光的底部发光型iOLED是把在基板上成膜的ITO作为阴极使用,在ITO上形成EIL膜。然后在上面依次层积发光层等有机层。
采用这种构造的有机EL元件有望延长显示器显示部的寿命。原因在于,底部发光型iOLED通过把ITO用作阴极,与阴极采用铝等的普通OLED相比,大幅提高了阴极的大气稳定性。
另外,如果其上层积的EIL能使用惰性材料,就可以实现耐氧和耐水的有机EL元件。这个优点在柔性有机EL显示器中尤其大。因为可以减少使用高阻隔性硬封装材料的必要性。
与n型TFT组合使用,动作稳定
采用iOLED还有一个很大的优点。那就是提高了采用n型TFT的有源矩阵(AM)型显示器的驱动稳定性。最近,TFT采用InGaZnO TFT的情况越来越多。InGaZnO TFT为n型,与iOLED非常匹配。
在普通的“双晶体管+单电容器(2T+1C)构造”以及采用底部发光型有机EL元件的AM型显示器中,连接有机EL元件的电极在普通OLED和iOLED之间是不同的(图4(a))。比如,普通OLED在阳极,而iOLED在阴极连接Dr TFT。
图4:普通OLED和iOLED在驱动电路中的连接位置发生变化
(a)为显示器的截面构造,(b)为显示部采用普通OLED的驱动电路模式图,(c)为显示部采用iOLED的驱动电路模式图。
因此,TFT采用InGaZnO等n型TFT的话,驱动电路中的有机EL元件的位置在普通OLED和iOLED间也各不相同(图4(b~c))6)。普通OLED配置在n型TFT的接地侧,iOLED配置在栅极线侧。
流经有机EL元件的电流以Dr TFT源极电极和栅极电极间加载的电压(VGS)为基准。首先来看InGaZnO TFT+普通OLED的情况(图4(b))。接地与Dr TFT源极电极间的有机EL元件的驱动电压在驱动的同时缓慢上升,因此Dr TFT的电位基准——源极电极的电位也受其影响发生变化,Dr TFT的VGS下降,流经有机EL元件的电流减少。结果有报告显示,从有机EL元件获得的亮度降低,造成烧毁等现象。 [!--empirenews.page--]
而InGaZnO TFT+iOLED因源极电极充分接地,驱动有机EL元件后VGS也不会发生变化(图4(c))。因此,流经有机EL元件的电流能保持稳定,不会发生烧毁现象。(特约撰稿人:深川 弘彦,NHK放送技术研究所研究员;清水 贵央,NHK放送技术研究所专职研究员;有元 洋一,日本触媒研究员;森井 克行,日本触媒首席研究员)