我深亚微米集成电路设计技术获重大突破

由上海交通大学大规模集成电路研究所所长林争辉教授领衔、平均年龄在36岁的36位博
士组成的科研团队，经过三年多研究完成的“深亚微米集成电路设计技术”，日前通过教育部主持
的专家鉴定。

由中科院半导体研究所、中国科学院院士王守觉，中国华晶集团公司、中国工程院院士许
居衍为正副主任，由国内最权威的三家微电子领域的龙头企业华虹、华晶、贝岭的专家邹世昌院士
等7人组成的鉴定委员会，认真听取了课题组的技术报告和测试报告，审核了相关的技术文件、考
察了成果演示，一致认为上海交大在“深亚微米集成电路设计技术”研究中所包含的器件建模、延
时网络、参数提取、数据库及管理、逻辑综合、电路模拟、版图设计、物理验证等设计技术总体水
平达到国际先进水平。其中在0.25um档级深亚微米芯片设计技术中“逻辑综合与物理设计一体化
理论”属国际首创。专家们还对上海交大大规模集成电路研究所运用这项技术所设计的应用于音频
领域的三块不同深亚微米芯片，并因此获得三项美国专利，予以充分肯定。

据专家们介绍，自20世纪90年代以来，集成电路向着系统集成的目标飞速发展，并要求芯
片的特征尺寸进入0.35um以下的深亚微米档级。于是深亚微米芯片设计就成为国际上芯片设计的
里程碑，并成为当前各发达国家在微电子领域技术竞争与技术垄断的焦点。我国曾经在这一领域落
后发达国家15年之多，而上海交大科研人员在短短的三年、四年间，不仅突破了0.35um深亚微米
集成电路设计技术的难度，而且攀登上了0.25um深亚微米集成电路设计技术的高地，使我国成为
继美国、日本之后少数几个在这一档级上掌握先进的集成电路设计技术的国家。