DoCoMo成功测试下一代手机LSI芯片

C114　9月14日消息（任瑞华 编译） 据国外媒体消息，NTT DoCoMo已经成功试验能适用于下一代手机的低功率LSI芯片。

日本运营商称，在测试中，LSI芯片通过高速无线网络用以高精确达200Mbp的传输率，然而功耗不超过0.1W。

LSI芯片功耗低，并且小到足以满足被DoCoMo称为超3G的手机。

超3G，在3GPP里被称为LTE(Long Term Evolutoin，长期演进)，将提供超过00Mbps的下行线。