RFMD MEMS技术将在RF应用中实现突破性整合

日前，RF Micro Devices（RFMD）宣布推出专有微机电系统 (MEMS) － 面向 RF 及其他应用的技术。RFMD 期望其专有的 MEMS 技术将在 RF 及其他应用中实现突破性的性能及空前水平的功能整合。

RFMD 推出的第一批 RF MEMS 器件将是面向 3G 多模手机的 RF MEMS 发送/接收开关及 RF MEMS 模式开关。通过极大减小产品占位面积并提高效率，从而延长手机通话时间，RFMD 的 MEMS 开关技术将有助于加速 3G 部署。当与面向前端解决方案（GaAs、SOI 及硅）的 RFMD 业界领先工艺技术相结合时，RFMD 的 RF MEMS 开关技术将树立低成本、小尺寸及超高性能前端的新标准。

RFMD 的 MEMS 开关还将在功率放大器 (PA) 的输出电路中使用，以创建可调谐的 PA，公司预计这将实现真正自适应的收发器解决方案。

RFMD 研发副总裁 Victor Steel 指出：“RFMD 专有 MEMS 技术的商业化以及我们 200mm MEMS 研发制造厂的建设强调了 RFMD 不断致力于通过一流的创新实现产品领先地位。RFMD 是唯一能够将混合信号 CMOS、功率管理、功率放大器、RF 开关及 RF MEMS 结合在低成本晶圆级封装的单片解决方案中的公司。随着我们业界领先 MEMS 功能的商业化，我们将能够进一步提供可预计并超出我们客户日益增长的 RF 需求的高整合度 RF 解决方案。”

加州大学圣地亚哥分校教授 Gabriel M. Rebeiz 强调：“现有 RF MEMS 开关技术基于小制造批次及晶圆到晶圆封装技术，这最终会增加器件成本。RFMD 方法及其硅片上的高整合度针锋相对地解决了这一问题，并最终将提高产量及性能以及极大降低成本。”

RFMD 的 RF MEMS 开关为高功率欧姆接触式 MEMS 开关，它们是 RF CMOS SOI 晶圆上后处理的 IC，密封在晶圆级封装 (WLP) 电介质圆顶中。使 RF MEMS 开关运行所需的所有必要电路均被集成到了基本 CMOS 中，包括可靠接通功率 MEMS 开关所需的大电压及控制信号的产生。RF MEMS 开关完全支持 RFMD 苛刻的蜂窝 RF 功率模块要求，包括低插损及高隔离（典型0.2dB/35dB @ 1.9GHz）以及高谐波抑制（典型>90dBc），同时还符合严格的可靠性及设计与生产成本要求。

除 RF MEMS 开关外，RFMD 还正在积极推动其他 MEMS 器件的商业化，例如 RF MEMS 滤波器、RF MEMS 共鸣器（晶体替代器件）及 MEMS 传感器。公司期望其 MEMS 技术连同其在高性能射频系统中的现有核心能力将最终实现能够适应任何无线协议 – 蜂窝或非蜂窝 – 的单片前端及软件定义无线电。

RFMD 将构建 200mm 研发晶圆制造厂以支持其不断的 MEMS 开发。该 MEMS 研发制造厂将与 RFMD GaN 研发机构共同位于北卡罗莱纳 Mooresville 的新工厂中。