TD-LTE芯片跛足前行

今年6月初，中国移动借NGMN 2010大会向全球主流运营商展现了TD-LTE三年来的产业化成果，证明了TD-LTE的技术成熟度和商用能力。同月，TD-LTE工作组开始TD- LTE的第一轮测试，来检验芯片及终端达到的水平。从中国移动的世博会试验网及TD-LTE工作组测试情况来看，TD-LTE芯片及终端产业渐入佳境，测试有条不紊地进行，但芯片环节仍然表现出了一些问题，已经影响到TD-LTE整体测试的进度。

　　TD-LTE终端商用接近FDD

　　在NGMN 2010大会上，中国移动演示了世博园内视频监控的移动宽带应用，取得了不错的效果。某芯片厂商人士对本刊表示，运营商的TD-LTE试验的目的与TD- LTE工作组不一样，运营商是为了检验TD-LTE商用的进度。中国移动在世博会的TD-LTE演示虽说具备了一定的规模，能够体现TD-LTE的带宽能力，证明了TD-LTE技术的可用性，但是芯片及相应的终端距离标准还有一定的差距，特别是在兼容性方面还欠缺，这些都需要与TD-LTE标准共同完善。

　　该人士所指的兼容性是终端的互通性、互操作和互用性等。中国移动也表示，TD-LTE终端与系统IOT(互通性测试)进展与FDD存在较大的差距，FDD产业链中已经有一家厂商提交了IOT测试全集结果，TD-LTE领域则有一家厂商提交了Uu 口结果。

　　同时，相对于FDD，TD-LTE终端厂家的数量太少，目前只是芯片厂商自己拿出USB数据卡完成测试和试验。但是对于TD-LTE终端商用时间，中国移动认为会与FDD接近。上述厂商人士也表示，FDD起步比TD-LTE早，产业链更成熟，但是TD-LTE距离产业成熟在技术上只是一个过程，一到两年后，TD-LTE就能够达到FDD商用成熟的程度，到那时就相当于赶上FDD了。

　　芯片环节还需进一步加快

　　终端成熟商用的关键在于芯片。在NGMN 2010大会上，中国移动研究院院长黄晓庆就表示，TD-LTE芯片的进展仍处于落后的位置，中国移动已经和主流芯片厂商开始合作TD-LTE芯片的研发。在工信部电信研究院TD-LTE工作组近日组织的TD-LTE测试中，同样发现了芯片环节还存在诸多问题，这都需要在后续的研发和测试中陆续解决。

　　目前，TD-LTE芯片厂商有多达十余家，其中在基带芯片方面，创毅视讯、海思、Sequans及高通等已经或即将达到ASIC阶段，联芯科技、重邮信科以及中兴还处于FPGA阶段，已经在近期提供或即将提供FPGA开发调试板，与系统调试，这些企业将在今年年底至明年年初推出样卡，ST- Ericsson和展讯的计划也在明年。而在射频芯片方面，在TD领域表现良好的广晟微电子的工程样片已经流片，但是根据芯片厂商的说法，目前TD- LTE射频芯片严重缺失，专用射频芯片入门条件很高，普通的射频芯片无法满足测试，现在大多厂商都在使用联芯科技提供的一款射频芯片。

　　在此次TD-LTE工作组组织的测试中，基于ASIC的海思及创毅视讯、基于FPGA的重邮信科、联芯科技及苏州简约纳等6家芯片厂商参与了与系统的互通测试。

　　阶段性的测试结果显示，目前芯片的进展不是很乐观，芯片进度需要进一步加快。芯片和系统间的调试相对理想，在将近一个月的时间内完成了60%，但是芯片环节表现出了稳定性不高的问题，部分FPGA没有调通。此外，多模终端还存有问题，只是硬件实现，软件还支持不了。

　　前述厂商人士表示，目前TD-LTE芯片的测试就像是考试，对照标准一项一项地过，所以测试的结果是一个满足标准的百分比。该厂商目前取得了及格偏高的成绩，而且硬件方面的表现比预期的还要好。

　　该人士还表示，TD-LTE标准还在不断变化中，芯片厂商只能基于某一版本进行开发，然后再对照最新版本进行更新，这也会影响芯片进度。此外，对于TD-LTE这个新事物，厂商只能按照对协议的理解来开发，加上测试手段很缺乏，虽然符合了原理，但是到现实测试中，结果又不一定了。

　　此外，测试终端质量和数量的限制，导致TD-LTE测试的某些选项都无法进行，特别是可选测试部分，参与的企业较少。因此，推动TD-LTE芯片快速发展迫在眉急，工信部已经提出“扶优扶强”的计划来推进芯片的发展。而作为产业链主导的中国移动更应该发挥作用，再次启动终端或芯片的专项激励基金不失为一个好办法。