TD－LTE终端芯片测试10月启动

在近日召开的业内会议上，工信部电信研究院通信标准研究所主任工程师李文宇透露称，从10月开始，电信研究院将启动2.6GHz的TD-LTE终端芯片相关的测试。

　　“对2.6GHz的TD-LTE终端芯片的主要技术要求包括：支持3GPP Rel8 2009年12月版本、20MHz带宽网络、多种时隙配比、多种必选MIMO模式(含波束赋形)、异频和同频测量、异频和同频切换、下行64QAM以及性能基本稳定等。”李文宇表示，我们之所以将时间定在10月，是给厂商时间进一步对各自的芯片解决方案进一步开发、改进、调试和完善。

　　据李文宇介绍称，在10月将开始2.6GHz TD-LTE终端芯片相关的测试，包括，终端芯片本身的功能、射频、性能等测试，之后进行室内UUIOT(终端芯片与系统设备互操作测试)和外场测试。在此基础上，还将由系统设备与终端芯片共同完成室内外关键技术测试、外场组网性能测试。

　　据了解，在今年6月，在工信部领导下，电信研究院已对6家厂商的2.3GHz TD-LTE芯片进行了第一轮测试，近期还将有三家芯片厂商将进行2.3GHz测试。

　　“从2.3GHz的TD-LTE芯片测试情况来看，各家芯片研发已取得明显进步，已有多家芯片厂商研发TD-LTE基带和射频ASIC芯片，而部分厂商也已开发出TD-LTE数据卡和CPE设备，已能支持TD-LTE的大部分功能，性能也比较稳定。”李文宇指出，TD-LTE与FDD LTE芯片基本实现共享软硬件平台，研发LTE TDD/FDD多模芯片已有很好基础。