英盛德第三个28nm芯片成功投片

21ic讯 集成电路设计服务公司，今年已经为行业领先的某通信公司完成了第三个28nm芯片设计。在这个工艺节点上，英盛德公司还有另外两个项目即将完成。尽管英盛德已经在20nm及以上各节点上完成了200个以上的芯片设计，芯片尺寸达到700mm²以上，公司在28nm工艺多次成功流片的事实还是让公司的CEO Graham Curren认识到28nm将是近期复杂设计的首选工艺。

他解释说：“作为一个独立的设计服务公司，我们的用户遍布各行各业——手机，计算机，图像处理，消费电子，汽车等. —个有趣的事实是，很多项目都选择了28nm工艺。我们认为可能是因为28nm是一个强大而稳定的工艺，拥有较高的化良率和出色的性能，因此比40nm或者较新的20nm工艺更具吸引力。 我们的整体方法---从一开始就考虑到芯片可制造性而不是把它作为后来的一个单独的分析—会对各个工艺节点都有帮助，尤其是到了28nm以及更先进工艺时，会产生许多新的DFM需要，我们都会提前考虑制造中可能会遇到的问题”。

英盛德是TSMC领先的IC制造厂商设计中心联盟的合作伙伴。最近某领先的集成电路代工厂商宣布“28纳米工艺出货量占总晶圆收入的22%”，这也证实了英盛德关于28纳米工艺的看法。英盛德同时也通过了SMIC的设计认证——很少有设计服务公司能同时通过SMIC和TSMC的设计认证。英盛德还与EDA工具供应商，IP供应商以及其它代工厂有良好的关系，因此在整个芯片设计供应链条上都有很强能力。