三星电子量产20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星电子成功量产20纳米DRAM，展示了在半导体领域的主导地位。

三星电子3月11日发布称“公司在全球率先启动了20纳米4Gb DDR3 DRAM的量产工作”。1纳米等于十亿分之一米，20纳米仅相当于头发丝粗细的2500分之一，20纳米DRAM就是用如此纤细的铜线制作的半导体。三星电子Nand闪存部门从2012年开始量产10纳米半导体，但由于DRAM结构复杂，而且需要高速运转，始终无法突破25纳米的技术瓶颈。

具备20纳米DRAM量产系统之后，生产成本有望大幅下降。20纳米DRAM的生产效率将比25纳米高出30%以上，比30纳米级DRAM的效率高出一倍。因为DRAM芯片通过切割大小相同的晶圆制造而成，线的直径越小，芯片就越小，同样的材料和时间就能制作出更多芯片。

更大的优点在于节省用电，电路越纤细，所耗电力越少，20纳米DRAM的耗电量可以比25纳米DRAM减少25%左右。三星电子存储芯片事业部战略营销组长（副社长）全永铉说“将低耗电的20纳米DRAM用到电池容量有限的智能手机或平板电脑上，可以提高设备效率”，“由于售价相对较高，利润空间也相对较大”。

成功利用原有设备量产新产品，也是20纳米DRAM的一大特征。如果要开发新的微细工艺，置办一系列生产设备，需要投入数千亿韩元乃至数万亿韩元资金。但三星电子通过独家改良勾画半导体线路的光刻技术，找到了可以有效利用原有设备的道路。全副社长强调“这次研究还为量产10纳米级DRAM打下了技术基础”。

三星成功量产20纳米DRAM之后，进一步拉大了与竞争企业之间的差距。市场调查企业“DRAM eXchange”公司消息称，三星电子去年在全球DRAM市场的份额为36.7%，在Nand闪存市场的份额为38.4%，在存储芯片市场稳固占据着第一的位置。在存储芯片市场，SK海力士与美国美光正奋力追击三星电子。截止2000年代末，DRAM市场还是韩国几家企业、日本尔必达、德国奇梦达、美国美光、台湾南亚与力晶等共同角逐的舞台，奇梦达和力晶等企业因为用低于成本价的价格进行“出血竞争”，最终与2010年前后宣告破产。尔必达也在去年破产，拿下挂了13年的店招，改名为美光日本。

业界认为，量产20纳米级DRAM将使三星进一步强化行业主导权。包括尔必达工厂在内，美光去年第四季度20纳米生产工程的比重也只占整体的21%，大幅落后于三星电子（68%）和SK海力士（63%），差距在两年以上。产业研究院研究委员朱大永（音）分析称“相较于已经停滞的电脑市场，量产的20纳米DRAM将主攻成长势头强劲的手机设备市场，以此为中心提高三星的竞争力”，“随着移动设备市场的扩大，三星电子半导体部门的业绩也会大幅上升”。