恩智浦与台积电发表七项半导体创新技术

由飞利浦创建的独立半导体公司恩智浦半导体 (NXP Semiconductors）与台湾积体电路制造股份有限公司于美国华盛顿特区(Washington D.C.)举行的国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)上共同发表七篇技术文章，报告双方通过恩智浦-台积电研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作开发的半导体技术及制程方面的创新。

在会议中，恩智浦 –台积电研究中心发表了创新的嵌入式存储技术，这与传统的非易失性存储器相较，速度最多可以快上1,000倍，同时也具备小尺寸及低功耗等优势，预估其功耗较目前的存储器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存储器节省百分之五到十。此外，在使用近距无线通信技术(NFC，Near Field Communication)进行移动支付或数据传输时，此技术有助于避免数据干扰并可以增加数据传输的安全性。

另一个技术文章发表的是置换传统石英谐振器的创新突破，此技术可以在芯片中内建更小及更薄的定时器，而可以直接在智能卡或移动电话SIM卡芯片上内建定时器，进一步强化智能卡的加密保护功能。

此外，该研究中心也将发表在晶体管上的创新突破，报告新一代晶体管的效能以及其在多方面的应用。

恩智浦 –台积电研究中心于IEDM所发表的七篇技术文章其创新突破简介如下：
·    ․提高晶体管频率(High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial collector-base process
·    ․简化便携产品应用的低耗电量CMOS制程(Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer
·    ․新一代晶体管 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack
·    ․展现高效能CMOS制程(Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides, TaC-based Metals and Laser-only Anneal
·    ․创新的电路设计，大幅降低功耗百分之八十(Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-·based optimization of low operational power CMOS devices
·    ․更快速、更省电、尺寸更小的嵌入式存储器(Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells
·    ․谐振器技术突破(Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator