全球集成电路产业50周年大事概览
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1958-1974年
1958 |
德州仪器的Jack Kilby展示全球第一块集成电路(IC),结束了之前10年只能采用分立晶体管的历史。 |
NEC成立日本第一个规模量产的晶体管厂。 | |
1959 |
国家半导体公司成立。 |
飞兆半导体的Robert Noyce将IC进一步商用化并推向市场。平面晶体管技术诞生。 | |
1960 |
Digital Equipment公司推出第一台MINI计算机PDP-1。 |
AT&T发明第一个调制解调器。 | |
1961 |
德州仪器研发出第一个基于集成电路的计算机。 |
摩托罗拉首次采用贝尔实验室的epitaxial技术,将半导体制造推向规模量产。 | |
1962 |
摩托罗拉推出第一个基于晶体管的对讲机Handi-Talkie HT-200。 |
1963 |
多家公司开始量产IC。 |
F.M. Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术。 | |
1964 |
德州仪器推出第一块用于消费电子产品(助听器)的IC。 |
IBM发布其首台计算机——System/360。 | |
全球IC出货量首次超10亿美元。 | |
1965 |
Gordon Moore提出著名的摩尔定律。 |
Bob Widlar发明运算放大器。 | |
中国第一块半导体集成电路研制成功。 | |
1967 |
德州仪器发明第一个手持计算器。 |
摩托罗拉推出第一台全晶体管彩色电视机。 | |
1968 |
Andy Grove,Robert Noyce和Gordon Moore创立英特尔公司:同年英特尔推出第一片1k RAM。 |
1969 |
Apollo登月,对半导体器件应用起到极大推动作用。 |
1970 |
英特尔推出第一片DRAM。 |
1971 |
英特尔发明SRAM和EPROM。 |
英特尔推出微处理器4004,将计算机的大脑集成在一个芯片上。 | |
德州仪器推出单芯片微处理器。 | |
IBM的Alan Shugart发明软磁盘。 | |
1972 |
HP发明第一个可装人口袋的计算机。 |
英特尔开始采用3英寸晶圆。 | |
1973 |
摩托罗拉推出便携式蜂窝无线电电话,它也是我们现在基于调制解调器手机的先驱。 |
Vinton Cerf和Darpa发明互联网。 | |
1974 |
Zilog推出第一个微处理器Z80。 |
摩托罗拉推出6800微处理器。 | |
施乐发明内置鼠标。 |
1975-1986年
1975 |
第一台个人电脑Altair上市。英特尔CPU时钟频率可达2MHz。 |
Bill Gates和Paul Allen创立微软公司. | |
1976 |
Steve Wozniak和Steve Jobs推出苹果电脑,这是全球第一台能进行文字处理的电脑。 |
英特尔开始采用4英寸晶圆。 | |
1978 |
Micron成立,作为一家半导体设计顾问公司。 |
德州仪器推出第一个单芯片语音处理器,用于Speak&Spell玩具。 | |
1979 |
摩托罗拉推出第一个16位微处理器并被苹果电脑采用,它具有每秒处理200万次计算的能力。 |
贝尔实验室推出单芯片数字信号处理器,可支持语音压缩、过滤和纠错功能,比多芯处片完成速度更快功能更好。 | |
全球半导体销售超过1 00亿美元。 | |
1980 |
联电成立,生产电子表、计算器与电视用IC。 |
IBM进人PC领域,成为最大的微处理器用户。 | |
摩托罗拉推出第一款寻呼机。 | |
1981 |
LSI Logic推出门阵列产品,它是全球第一个半定制的芯片。 |
第一台具有两个软盘、支持彩显的PC上市,采用英特尔8088处理器,时钟速率达到800MHz。 | |
1982 |
VLSI推出标准信元、预定义电路,用作定制芯片。 |
德州仪器推出单芯片DSP。 | |
1983 |
摩托罗拉推出第一个蜂窝电话。 |
Altera发明第一个PLD。 | |
三星半导体成立,开发64Kb DRAM。 | |
英特尔开始采用6英寸晶圆。 | |
1984 |
德州仪器进入6英寸CMOS工艺。 |
第一个芯片保护法诞生,开创新型知识产权保护模式。 | |
IBM研发出1 Mbit RAM。 | |
Xilinx发明第一块现场可编程器件FPGA。 | |
苹果推出Macintosh电脑。 | |
1985 |
NEC登上全球半导体第一的宝座,并且持续7年在第一的位置。 |
英特尔分离出DRAM业务,同时德州仪器等众多公司进入DRAM市场。 | |
台湾工研院与华智公司发展成功1.5微米CMOS 256K DRAM。 | |
三星大规模量产256K DRAM。 | |
1986 |
美国与日本签订合约结束反倾销,使日本开始复苏,并取代美国成为全球最大半导体生产地,占据全球一半以上份额,其产品覆盖 MCU,ASIC以及分立半导体等多个领域。 |
美国1 1家DRAM厂商中有9家离开该市场。 | |
Compaq推出386 PC。 |
1987-1997年
1987 |
意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并成立意法半导体。 |
台积电成立。 | |
大智、硅统、扬智、瑞昱、诠华、华展、群立、普腾等IC设计公司成立。 | |
1988 |
精简指令集(RISC)技术商用,提供更快和更少存储需求。 |
上海飞利浦半导体公司(现上海先进)成立。 | |
1989 |
Compaq推出LTE/286的笔记电脑。 |
中国华晶电子集团公司成立。 | |
三星电子与三星半导体合并。 | |
1990 |
业界开始转向8寸晶圆厂。 |
英特尔与台积电、联电合作生产内存。 | |
三星推出16Mb DRAM。 | |
互联网用户达到10万。 | |
中国实施九0八工程。 | |
1991 |
华邦成功开发首颗64K SRAM。 |
首钢NEC电子有限公司成立。 | |
1992 |
英特尔开始采用8英寸晶圆。 |
三星成为全球最大的DRAM厂商。 | |
台湾地区各半导体厂陆续进入0.6微米制程。 | |
微软推出Windows 3 1。 | |
1993 |
三星建立第一个8英寸晶圆厂,同年成为全球最大的存储器厂商。 |
凭借PC需求的迅速增长,美国再超日本成为全球芯片销量第一的国家。 | |
IBM和摩托罗拉推出首个用于PC的RISC芯片。 | |
1994 |
三星推出全球第一块256Mb的DRAM。 |
联电、华邦开发完成0.5微米制程。 | |
世界先进、力晶分别成立8英寸DRAM厂。 | |
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全球半导体市场首次超过1000亿美元。 |
1995 |
NEC开发出全球第一块1Gb DRAM。 |
南亚成立。 | |
1996 |
三星推出1Gb DRAM。同时,三星在美奥斯汀建厂。 |
1996茂德成立。 | |
由于电脑、网络、电话和通信市场的迅速增长,欧美半导体厂商处于鼎盛期,芯片出货量大幅上升。 | |
1997 |
3COM的第一款56kbps MODEM采用了德州仪器的DSP芯片。 |
从1993年到1997年,联电将原有IC设计部门分割成为独立的设计公司,催生了智原、联发科、联咏、联笙、联杰、盛群等IC设计公司。 | |
上海华虹NEC电子有限公司组建,总投资为12亿美元,主要承担“九0九”工程。 |
1998-2007年
1998 |
三星宣布推出首块128M闪存。 |
九0八主体工程华晶项目通过验收,这条从朗讯科技公司引进生产线采用0.9微米生产6英寸晶圆片。 | |
1999 |
全球半导体市场出现转折,需求拉动由PC转向消费电子市场。 |
三星发布第一块1G闪存原型。 | |
上海华虹NEC电子有限公司建成试投片,工艺技术从计划中的0.5微米提升到了0.35微米,主导产品为64M同步动态存储器。 | |
2000 |
台积电成立第一座12寸晶圆厂。 |
三星半导体进人LCD驱动器和Flash MCU领域。同时,三星半导体收入超过100亿美元。 | |
英飞凌从西门子剥离,引发全球半导体部门从母公司剥离的高潮。 | |
全球半导体销售超过2000亿美元。 | |
2001 |
德州仪器建成300mm晶圆厂。 |
联电和茂德分别成立300mm晶圆厂。 | |
三星512Mb NAND闪存进人量产,推出数字音频SoC。 | |
2002 |
英特尔采用12英寸晶圆并引人90nm工艺。 |
德州仪器采用90nm CMOS工艺。 | |
中芯国际开始批量生产0.18微米、8英寸芯片产品。 | |
三星成为全球最大的NAND闪存厂商。 | |
曾经是全球最大的NEC半导体从母公司分离。 | |
2003 |
台积电第二座300mm晶圆厂成立,树立了全球最大晶圆厂的地位。 |
三星推出第一款4Gb NAND闪存。 | |
三星推出533MHz Mobile CPU,用于智能手机和PDA,开始挑战欧美厂商在该市场的地位。 | |
日本三菱电机和日立合并半导体部门,成立瑞萨科技。 | |
2004 |
德州仪器宣布单芯片手机,并发布65nm工艺。 |
摩托罗拉分拆半导体部门,飞思卡尔半导体成立。 | |
2005 |
IC发明人之一.Jack Kilby去世。 |
中星微电子在美国纳斯达克上市,成为第一家在美国上市的中国IC设计公司,随着珠海炬力也成功上市。 | |
2006 |
三星、IBM和特许半导体共同为高通生产出第一片90nm处理器。 |
三星推出基于32Mb闪存的固态硬盘SSD,使闪存在PC中逐渐替代硬盘成为趋势。 | |
飞利浦半导体和飞思卡尔等半导体公司相续被私募基金收购,引发半导体业一次新的变革。 | |
RoHS指令在欧盟开始实施。 | |
2007 |
英特尔45nm CPU进人规模量产。 |
三星发布50nm 16Gb NAND闪存,可用于SSD。同时其60nmDRAM进入规模量产。 | |
金属栅极/高介电常数(high-K)成功采用,将摩尔定律再延伸至少10年。 |