海力士：DRAM明年可能缺货

全球第二大内存芯片厂海力士（Hynix）金钟甲（Kim Jong-Kap）13日指出，DRAM整体市况去年第四季就已触底，明年市场更可能出现供给缺口。

金钟甲也是继龙头厂韩国三星酝酿涨价5%到10%后，今年以来第一位宣布内存市况已经触底的业者，使DRAM市况再露曙光，海力士股价昨天受此激励上涨逾2%，并带动三星股价走扬；台湾DRAM厂则受茂德与尔必达（Elpida）联名提出整合案遭要求补件影响，茂德开盘就跳空跌停死锁拖累，普遍走跌，仅华亚科收红。

DRAM业者认为，海力士发表看好景气的看法，主要与全球DRAM厂大幅减产，有效降低原本市场供需失衡的状况有关。

今年以来DRAM与NAND Flash（储存型闪存）价格陆续向上弹升，根据集邦报价，DRAM主流规格现货价已顺利站回1美元之上。

依外电报导，金钟甲是在一场记者会上指出，内存市况已于去年第四季到达底部，虽然市况全面反弹时机仍需视全球经济复苏情况而定，但因近期大多数业者都已减产并大幅下修资本支出，最快明年市场就会出现短缺情况。

如同三星今年对资本支出采取保守态度，海力士今年也对资本支出相当节制，预期今年预算将由去年的2.6兆韩元降至1兆韩元以内。金钟甲指出，海力士今年首要任务为增加资金流动性；海力士今年将出售美国奥勒冈8吋晶圆厂，并正与潜在买主协商中。