JSR与IBM就共同开发32/22nm节点半导体新材料达成协议

从事电子相关材料业务等的JSR子公司——美国JSR Micro与美国IBM就共同开发32nm工艺和22nm工艺半导体技术的新材料和工艺达成了合作协议。

此次缔结协议的目的是，双方将把低介电率层间绝缘膜（low-k）材料和光阻材料（Photoresist）等JSR此前开发并实现商用生产的材料群改进为新一代产品。两公司目前正致力于共同开发新CVD low-k材料、可制作新图形的low-k绝缘材料、以及介电率小于2的超low-k绝缘材料等的相关技术。在平板印刷领域，两公司此前已共同开发出尖端的ArF光阻材料等。新的共同开发项目的目标是，解决将来在技术节点方面使用的图形二次曝光（Double Patterning）相关技术和其它平板印刷材料的有关课题。