分析师看好全球生产线的扩张版图

按SEMI的资深分析师Christian Dieseldorff报道，SEMI的全球Fab预测于2010年时全球Fab投资再增加64%，达240亿美元。

ICInsight的McClean认为，今年第三季度的全球产能利用率可达88%，接近去年金融危机之前的水平。它还认为2007年的产能利用率达90%，一直维持到去年的前三个季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1为最低水平是57%，到09 Q2由于OEM为补充库存而使产能利用率又回复到78%。
 

按ICInsight观点芯片产能利用率又回复到金融危机之前的水平

McClean表示，虽然产能利用率还没有低到2001年時全年的最低水平71.2%，但是它认为09年的水平仅77.4%。由于08及09两年的投资大幅减少，导致产能可能不足，而使 IC的ASP平均售价上升，并估计在2010-2012的三年期间，每年有5%的增长。

SEMI的全球Fab预测

据SEMI报道，2009年全球因为有31个fab关闭，而使总的产能下降2-3%。明年产能将缓慢的回升，估计增长4-5%，达每月总计2150万片(等值200mm计) 。在2010年的投资，主要是用于fab的升级改造，而不再是产能的扩大。
 

SEMI的fab预测看到明年的fab升级改造是占投资的主要部分

在09年的240亿美元投资中，有140亿美元来自全球的六家公司，包括如Global Foundries，Inotera(Micron和南亚的合资厂)，Intel，Samsung，Toshiba及TSMC。这六家公司在挑战经济危机中仍将在未来两年中大量的投资。

Global Foundries在阿布扎比的ATIC支持下，09年投6-7亿美元，未来两年中每年投资超过10亿美元。ATIC已承诺在未来5年内为Global Foundries共计投资60亿美元。

SEMI报告中指出，Inotera宣布，为推进70纳米的沟槽式技术向50纳米的堆叠电容器技术转移，将采用浸入式光刻机，所以预计投资达16亿美元。Inotera是在台塑集团的支持下，因其是南亚的母公司。生产线的设备更新计划从今年底开始，—直延续到明年，预计直到2010年的化费达10亿美元。

Intel宣布在未来的两年中投资70亿美元，用来升级现在的生产线到32纳米。预计2009年中化费30-40亿美元，及剰下的在2010年中花完。

Samsung要将在美国Austin的200mm DRAM生产线转成300mm的专为NAND生产的后道生产线(BEOL)，用来支持现有的300mm NAND生产线。SEMI的全球Fab预测报告中預计，三星与2010的投资合并在一起，总计达40-50亿美元，主要用于Austin的改造以及在韩国的15 line与16 line中。

东芝正欲从全球股市中慕集30亿美元，用来投资它的生产线。在过去的8年中作为一家非金融性公司的最大股市集资。东芝计划今年有10亿美元，明年再有20亿美元。非常可能2011年更多。SEMI认为这些資金将用于全球日益增长的NAND 闪存的需求，2009年增加到70-150亿gigabytes及2011/2012年时为300-500亿 gigabytes。

TSMC的今年投资计划修正已是第二次，在7月时更新为今年投资23亿美元及2010年的大于20亿美元。