富士通微电子2012年上半年开始量产基于Si底板的GaN类功率元件

富士通微电子将从2010年4～6月开始样品供货基于Si底板的GaN类功率元件。考虑2011年中期开始量产，2012年上半年转为全面量产。投资金额为数十亿日元。

产品以富士通研究所于2009年6月宣布开发成功（参阅本站报道）的使用GaN类半导体的HEMT为基础。为了在电源电路上使用，当时采用了不施加栅极电压漏电流就不会流出的常闭（NormallyOff）型。虽然采用了SiC底板，但同时也在推进基于Si底板的研发。富士通微电子没有透露2010年4～6月开始接受样品供货的厂商名称，但其公关部透露主要“面向服务器”用途。因此，最初极有可能用于富士通的服务器。

用于GaN类HEMT的Si底板口径为6英寸（150mm）。该公司表示，将同时利用位于福岛县会津若松市支持150mm底板的Si元件用生产线进行生产。计划为生产GaN类功率元件而新设置GaN类半导体结晶生长装置。

目前，利用廉价Si底板制造GaN类功率元件的研发活动十分活跃。比如，古河电气工业与富士电机先进科技的研究小组、美国国际整流器公司（InternationalRectifier）、NEC与NEC电子的研究小组、松下及三垦电气等已开始着手研发。