新思科技与中芯国际合作推出用于中芯65纳米低漏电工艺技术的、获得USB标志认证的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY

新思科技有限公司和中芯国际集成电路有限公司今天宣布开始提供用于中芯国际65纳米（nanometer）低漏电(Low Leakage)工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知识产权（IP）。作为一家提供包括控制器、PHY和验证IP等USB2.0接口完整IP解决方案的领先供应商，新思科技继续致力于通过提供高品质IP助力设计人员降低集成风险，这些IP具备了验证过的互操作性，并与标准规范设计兼容。

DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP专为各种高市场容量移动和消费电子应用而设计的，这些应用的关键要求包括要实现面积最小、低动态和泄漏功耗等特性。此外，DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP内建了调整电路，可支持快速的、芯片加工后的调整，以应对意外的芯片/电路板寄生或工艺变化，而无需用户对现有设计进行修改。这一特性使得设计人员能够提高良品率，并最大限度地降低昂贵的芯片改版成本。

“新思科技经过硅验证的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP与中芯国际的低漏电65nm工艺技术相互融合，使得我们双方的客户能够容易地将先进功能集成到可帮助他们满足低功耗要求、实现关键上市时间目标和快速投入量产的工艺中，”中芯国际高级副总裁兼首席业务官季克非表示，“近来，客户充分利用中芯国际65纳米低漏电工艺和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在硅晶片领域大获成功，这让我们信心倍增。我们将加强与新思科技的战略和协同关系，利用我们业内领先的集成、功率效率和性价比，为我们的客户提供明显领先的优势。我们期待着与新思科技一如既往地开展持续合作，并向更先进的工艺制程迈进。”

“随着新思科技面向SMIC 65 nm LL 工艺技术的高品质DesignWare USB2.0 nanoPHY的上市，我们将继续向设计人员提供他们满足当今制造工艺要求所需的知识产权，”新思科技解决方案集团营销副总裁John Koeter表示，“我们通过与中芯国际合作，在其65 nm低漏电工艺中对我们的USB 2.0 nanoPHY IP进行硅验证。这种做法为我们的客户提供了成熟的、经过认证的IP解决方案，使他们能够在集成DesignWare IP的过程中降低所面临的风险，并加快产品的上市时间。”

关于DesignWare IP

新思科技有限公司是用于系统级芯片（SoC）设计的高质量、经生产验证的接口和模拟IP解决方案的领先提供商。Synopsys广泛的产品系列提供了完整的连接IP解决方案，包括控制器、PHY和验证IP，适用于众多已广泛应用的协议，如USB、PCI Express、DDR、SATAHDMI、MIPI和以太网等，3G DigRF, CSI-2 and D-PHY。模块IP系列产品包括模数转换器、数模转换器、音频编解码器、视频模拟前端、触摸屏控制器和其它许多产品。此外，Synopsys还提供用于构建虚拟平台的SystemC事务级模型，可用于软件的快速开发以及芯片生产前的开发工作。在强有力的IP开发方法支持下，以及凭借在质量和全面技术支持方面的大力投入，Synopsys让设计人员能够加快产品上市周期和减少集成风险。