日本SiC业务开始启动,罗姆量产二极管
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日本的SiC功率半导体元件(以下简称功率元件)业务开始全面启动。集结产官学力量,使日本获得该领域主导权的举动越来越活跃。
SiC是继现有硅之后的新一代功率半导体的一种。特点是与硅功率元件相比,可以大幅削减逆变器和转换器等功率转换器的功率损耗。因此,全球都在积极研发SiC功率半导体元件。
在日本企业中,罗姆对SiC业务比较积极。该公司在日本企业中率先开始量产SiC功率元件,已从2010年4月下旬开始量产供货耐压为600V、输出电流为10A的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)“SCS110A系列”。迄今为止,世界上已有德国英飞凌科技(InfineonTechnologiesAG)、意法合资的意法半导体(STMicroelectronics)以及美国Cree等欧美企业投产了SiC功率元件。
罗姆以外的日本企业也在计划开展SiC功率元件业务。例如,新日本无线和三菱电机分别计划在2010年10月前后和2011年度内量产SiC制SBD。东芝和富士电机元件科技等正在快速推进旨在使SiC功率元件实现实用化的研发工作。
对于制造SiC功率元件时不可缺少的SiC底板,日本企业也在积极对应。例如,新日本制铁已从2009年4月开始投产口径为4英寸的SiC底板。罗姆在2009年收购了德国SiC底板厂商SiCrystal,稳定采购底板已有眉目。此前SiC底板一直由欧美企业垄断,尤其是美国Cree公司。
不仅是日本企业,日本经济产业省也陆续出台了扶持SiC业务发展的政策。例如,日本经济产业省将从2010年度起开展“旨在实现低碳社会的新材料功率半导体项目”活动。这是一个为期五年的项目,第一年度的预算为20亿日元。此外,还成立了旨在广泛集结与SiC相关企业和大学等机构的“SiC联盟”组织。该联盟的目的是统管产官学各自进行的所有SiC研发活动,以实现相互合作。
日本产官学的团结一致是否可以使日本掌握SiC功率元件领域的主导权?2010年到2011年推出的各项措施将成为实现这一目标的关键。
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