SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示，采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比，性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要SOI晶圆供应商表示，他们已经为超薄衬底的SOI晶圆的规模化生产做好了准备。这些绝缘层上硅的厚度只有不到10纳米，而且均匀性控制在艾米量级SOI晶圆对生产合格的全耗尽型晶体管是至关重要的。

SOI晶圆供应联盟的一位官员称，SOI晶圆最终的生产成本和体硅晶圆相比还要低6%，这和英特尔资深研究人员Mark Bohr的评论相左。Mark Bohr在5月份英特尔推出22纳米3-D 三栅极晶体管技术时表示，超薄衬底的SOI晶圆非常昂贵而且很难找到货源。Mark Bohr称，如果英特尔采用超薄衬底的SOI晶圆来实现3-D 三栅极晶体管，其晶圆的成本将增加10%。

目前IBM、 STMicro、 GlobalFoundries、 Renesas和 Toshiba等芯片制造商是采用SOI晶圆制造下一代集成电路的主要推手。

研制高效的、成本合理的太阳能电池是全球共同面临的巨大挑战。萨金特说：“全球都需要转化效率超过10%的太阳能电池，并希望能显著降低现有光伏组件的零售价。最新进展提供了一条切实可行的道路，其能最大限度地捕捉太阳发出的各种光线，有望提高转化率并降低成本。”

萨金特希望，在5年内，将这款新的分级重组层太阳能电池整合入建筑材料、手机和汽车零件中。