尔必达发布上季度结算报告 公司继续维持亏损经营
时间：2011-08-18 01:42:34
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[导读]尔必达发布了2011财年第一季度（2011年4～6月）结算报告。受DRAM价格大幅下滑影响，该公司第一季度仍持续营业亏损状态。但尔必达指出，即便在困境中还是确保了其领先于竞争对手的技术优势，并指出了其他竞争公司将被
尔必达发布了2011财年第一季度（2011年4～6月）结算报告。受DRAM价格大幅下滑影响，该公司第一季度仍持续营业亏损状态。但尔必达指出，即便在困境中还是确保了其领先于竞争对手的技术优势，并指出了其他竞争公司将被甩在后边的可能性。
结算报告显示，销售额为同比（YoY）减少45.7％、环比（QoQ）增加3.9％的957亿日元。营业利润为亏损38亿日元（上年同期为盈利444亿日元，上季度为亏损52亿日元），纯利润为亏损79亿日元（上年同期为盈利307亿日元，上季度为亏损82亿日元）。销售额减少的原因是，DRAM价格下滑超过了预期。东日本大地震导致的对DRAM采购担忧，曾造成面向大客户及现货的价格的一时性上涨，但之后采购忧虑的解除和最终产品需求低迷，致使价格急剧下滑。据尔必达介绍，实际上，截至8月5日，2Gbit产品面向大客户价格已降至1.59美元，现货价格降至1.09美元。结果造成当初预期的20～30％环比bit增长率仅达为15％。关于今后的预测结果，第二季度（2011年7～9月）的环比bit增长率为10％左右，全财年（2011年4月～2012年3月）的同比bit增长率为40～50％。DRAM市场行情方面，最早将在9月、最迟将在11月触底反弹。
结算报告称，市场正由个人电脑（PC）用存储器模块转向智能手机、平板终端及“UltraBook”等将DRAM直接安装在印刷基板上的形态，拥有技术实力来应对这种需求转变的DRAM厂商将获得市场份额，尔必达强调其比其他竞争公司具有优势。具体为，作为可省空间大容量封装技术，尔必达开发出了重叠有4块DRAM芯片的PoP（packageonpackage）、DDP（doubledensitypackage）及TSV（throughSiliconvia）等多种封装技术，而芯片方面，该公司已开发出3Xnm技术以及采用HKMG（高介电率栅极绝缘膜与金属栅极电极的组合）的4Xnm技术，采用HKMG的25nm技术也将在2012年开发完毕，这些技术均为全球首创，而且领先于其他竞争公司。据尔必达介绍，面向这些之后的20nm技术的实现也已经有了眉目。但1Xnm技术还存在不确定因素，比如因每单元的蓄积电子数量减少至数万个，需要放宽DRAM规格，还需要考虑采用EUV曝光技术等。
结算报告显示，销售额为同比（YoY）减少45.7％、环比（QoQ）增加3.9％的957亿日元。营业利润为亏损38亿日元（上年同期为盈利444亿日元，上季度为亏损52亿日元），纯利润为亏损79亿日元（上年同期为盈利307亿日元，上季度为亏损82亿日元）。销售额减少的原因是，DRAM价格下滑超过了预期。东日本大地震导致的对DRAM采购担忧，曾造成面向大客户及现货的价格的一时性上涨，但之后采购忧虑的解除和最终产品需求低迷，致使价格急剧下滑。据尔必达介绍，实际上，截至8月5日，2Gbit产品面向大客户价格已降至1.59美元，现货价格降至1.09美元。结果造成当初预期的20～30％环比bit增长率仅达为15％。关于今后的预测结果，第二季度（2011年7～9月）的环比bit增长率为10％左右，全财年（2011年4月～2012年3月）的同比bit增长率为40～50％。DRAM市场行情方面，最早将在9月、最迟将在11月触底反弹。
结算报告称，市场正由个人电脑（PC）用存储器模块转向智能手机、平板终端及“UltraBook”等将DRAM直接安装在印刷基板上的形态，拥有技术实力来应对这种需求转变的DRAM厂商将获得市场份额，尔必达强调其比其他竞争公司具有优势。具体为，作为可省空间大容量封装技术，尔必达开发出了重叠有4块DRAM芯片的PoP（packageonpackage）、DDP（doubledensitypackage）及TSV（throughSiliconvia）等多种封装技术，而芯片方面，该公司已开发出3Xnm技术以及采用HKMG（高介电率栅极绝缘膜与金属栅极电极的组合）的4Xnm技术，采用HKMG的25nm技术也将在2012年开发完毕，这些技术均为全球首创，而且领先于其他竞争公司。据尔必达介绍，面向这些之后的20nm技术的实现也已经有了眉目。但1Xnm技术还存在不确定因素，比如因每单元的蓄积电子数量减少至数万个，需要放宽DRAM规格，还需要考虑采用EUV曝光技术等。
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