台积电欲摆脱韩系DRAM技术依赖 与钰创联手打造3D IC

讯：台积电在逻辑IC制程上领先全球同业，但DRAM仍然只能依赖韩系业者提供。为了加强在3D IC的DRAM技术主导性，业界传出，台积电计画投资1亿美元开发Wide I/O（加宽汇流排）或HBM（高带宽存储器）等次世代DRAM产品，钰创可望出线成为合作伙伴。

另外，全球半导体联盟（GSA）今（31）日将在台湾举办年度Memory+论坛，探讨集成存储器及逻辑IC新兴技术。钰创董事长卢超群身为GSA亚太领袖议会主席，将与台积电、三星、旺宏、东芝等业者，共同针对3D IC导入Wide I/O或HBM的发展趋势发表演说。

将绘图处理器（GPU）集成在中央处理器（CPU）或ARM应用处理器中的系统单芯片（SoC）设计，已经是目前市场主流，但GPU的效能不断提升，DRAM带宽不足问题再度浮上台面。为了解决此一问题，英特尔目前采用嵌入式DRAM（eDRAM）制程，但有技术太难及成本过高的门槛，所以包括超微、赛灵思、阿尔特拉、高通、联发科等业者，已倾向采用Wide I/O或HBM来解决此一问题。

事实上，因为逻辑制程及DRAM制程的大不相同，无法在制造上将两种芯片集成在同一芯片中，所以，将逻辑IC及DRAM利用堆叠方式集成在同一芯片中的异质3D IC技术，就成为最佳解决方案。如台积电及赛灵思共同推出的首款异质3D IC的Virtex-7系列产品，就是采用台积电28纳米制程及3D IC封装CoWoS制程生产。

对于台积电来说，目前虽然与韩国DRAM厂合作开发3D IC，但基于对技术主导性的考量，台积电已计画转向与台湾DRAM业者合作开发下一世代的Wide I/O 2及HBM产品。据业内人士透露，台积电计画投资1亿美元，与国内DRAM业者共同开发Wide I/O 2及HBM芯片，而钰创因为拥有不少DRAM专利及检测良品晶粒（KGD）技术，所以可望获得台积电青睐并出线。

台积电日前在开放创新平台生态论坛中，已对外说明3D IC技术蓝图。去年提出的Wide I/O接口CoWoS技术已经进入量产，今年第2季提出的Wide I/O接口穿透晶体管堆叠（TTS）技术已将参考设计流程交付给客户。台积电计画在2014年第4季将HBM接口导入高效能的绘图芯片或FPGA等16纳米芯片，2015年之后则进入Wide I/O 2世代。