ST PNP电晶体兼具MOSFET能效与板空间使用效率
时间：2013-10-31 06:30:00
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[导读]意法半导体(ST)最新的双载子功率电晶体 3STL2540 ， 提供双载子电晶体的成本优势与矽晶面积使用效率，同时兼具同等级 MOSFET 的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本电源管理和 DC-DC 电源转换器(DC-DC convert
意法半导体(ST)最新的双载子功率电晶体 3STL2540 ， 提供双载子电晶体的成本优势与矽晶面积使用效率，同时兼具同等级 MOSFET 的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本电源管理和 DC-DC 电源转换器(DC-DC converters)解决方案。
3STL2540 是一个-40V/-5A PNP 电晶体，在完全饱和状态时，最大电压降(voltage drop)为200mV，基极电流(base current)仅为10mA。等效导通电阻仅为90mΩ，接近同等级超级逻辑层MOSFET (super logic-level MOSFET)的性能。
3STL2540 的核心技术是意法半导体的先进的双金属层平面基岛技术(base island technology)，在0.2到10V的宽输出电压下，温度在摄氏-30℃到150℃范围内，连续高电流增益(consistently high current gain，hFE)至少保持在100，创下业界同类元件最低的导通损耗记录。高热效率封装 PowerFLAT 仅0.6mm高，封装面积为2mm x 2mm，在最小的印刷电路板内实现高性能功率电路。
3STL2540 现已量产。
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