富士通4Mbit FRAM可取代SRAM

FRAM具备非挥发性资料储存功能，即使在电源中断的状况下仍能保护资料；随机存取功能则能高速写入资料。由于FRAM在写入资料时若面临电源临时中断或是停电，仍旧能够安全地储存资料，因此即使在电源中断时还是能够立即储存参数资讯并即时记录设备上的资料数据。

另外，MB85R4M2T无须任何电池即可持续地储存资料，因此有助于发展更小型、更省电的硬体设备，且能降低总成本。其优势包含减少电路板面积，由于MB85R4M2T不须要透过电池储存资料，因此能减少50%以上产品中所使用印刷电路板(PCB)记忆体与相关零件的面积。此外MB85R4M2T能降低功耗，相较于SRAM在主电源关闭的情况下将资料保存在记忆体时，每秒需要消耗约15微瓦(μW)的电流以保存资料，FRAM为非挥发性的记忆体，在电力关闭情况下不会耗费任何电力。FRAM移除电池不仅降低零件成本，也免除所有电池更换或维修相关的周期性成本，能大幅减低开发及营运的总成本。