海力士看好无锡DRAM厂10纳米未来 增资25亿美元

韩国SK海力士株式会社15日无锡新区签署协议,将投资25亿美元实施五期技术升级项目。

SK海力士半导体(中国)有限公司自2005年4月在无锡新区建设以来,已成为国内产能最大的半导体生产企业,投资由20亿美元增至80.55亿美元,12英寸晶圆的生产技术由90纳米提升至29纳米。此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。