TD-LTE发照在即 半导体商猛攻大陆手机市场

转自台湾新电子的消息，中国大陆TD-LTE手机市场战火快速延烧。中国大陆政府即将对三大电信商释出TD-LTE牌照，激励品牌厂加码投入TD-LTE手机研发，因此基频芯片商及功率放大器等业者，皆已展开供应链抢单大战，卡位TD-LTE市场商机。

TD-LTE时代来临将开启半导体厂商间较劲的新战场。中国大陆工信部即将发放中国大陆三大电信商--中国移动、中国电信、中国联通TD-LTE牌照，目前已可见三大电信商无不卯足全力采购设备，其中，以中国移动的动作最为积极。

基频芯片商助阵　中移动TD-LTE攻势猛

为避免重蹈3G时代因TD-SCDMA芯片方案不足而导致发展受阻，中国移动已积极拉拢手机基频芯片商加入TD-LTE阵营。目前包括高通(Qualcomm)、迈威尔(Marvell)、联发科、展讯及联芯等业者，皆已发布相关解决方案并陆续导入量产，成为中国移动冲刺4G市场的有力后盾。

图1 拓墣产业研究所上海子公司研究员徐奕斐表示，为避免陷入3G时代芯片供应不稳窘境，中国移动正卯足全力部署TD-LTE芯片市场。

拓墣产业研究所上海子公司研究员徐奕斐(图1)表示，在3G时代，由于国际IC设计大厂一开始并不重视TD-SCDMA芯片研发，导致中国移动3G芯片供应来源有限，使得手机种类不够丰富而流失客户。中国移动为避免在TD-LTE时代重蹈覆辙，遂拉拢高通、联发科、Marvell、中兴、联芯、展讯等芯片大厂，以确保TD-LTE芯片供货无虞，有望于TD-LTE市场重现2G时代威风。

值得一提的是，上述与中国移动合作的厂商中，除高通与联发科已采用28纳米制程节点量产多频多模LTE芯片，展讯、Marvell、联芯等多家厂商也将跟进，欲以高介电质金属闸极(HKMG)制程降低芯片功耗，其中，展迅及Marvell预计量产时间为今年第四季，而联芯则预定于明年第一季追上进度。

除积极与芯片大厂建立TD-LTE芯片供应关系外，中国移动亦已针对终端产品进行大规模集中采购，而首两次的集采招标已于去年11月及今年7月落幕，集中于MiFi、客户端/用户端设备(Customer Premise Equipment, CPE)等网通产品。业界预估在中国政府发照前，该公司将再启动一波终端集采，而2014年开始，中国移动集采重点将由网通设备转向手机。

根据TD产业联盟研究报告指出，2013年商用TD-LTE智能手机数量将大幅度增加，截至今年6月，全球共十五家厂商发表二十九款TD-LTE智能手机。预计今年第三季将再有十一款TD-LTE手机在中国大陆上市，另外六款在日本上市。除智能手机外，其他包括数据卡、CPE、MiFi、平板电脑等TD-LTE终端产品，累计出货量也已超过四百万台，整体TD-LTE市场产值正急遽攀升。

据了解，中国大陆政府已明确订出2015年全中国大陆3G/LTE用户达四亿五千万户，并于2020年增至十二亿户的目标，因此极有可能于今年10月同时发放三张TD-LTE牌照给中国移动、中国电信、中国联通。

看好TD-LTE释照后带来的庞大商机，中国移动已全力启动策略布局，大规模展开电信设备招标，计划于2013年达成第一阶段二十多万座基地台、覆盖全国一百个城市的布建目标，投资金额规模超过人民币200亿元，预计2014年将再盖二十万座基地台，并明确提出TD-LTE网路大规模商用化时间为2015年。

随着电信商大规模采购TD-LTE设备，中低价智能需求亦迅速攀升，并带动手机关键元件出货量同步走扬，其中，互补式金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)更是此波商机的最大受惠者。

中低价手机风潮来袭　CMOS PA露锋芒

CMOS PA正挟尺寸及成本优势于中低价手机市场攻城掠地，市占可望提升至15%~20%，而砷化镓(GaAs)PA厂商为进一步防堵对手攻势，将全面启动轻晶圆厂(Fab-lite)策略，以同时巩固高端手机及中低价手机市占。

拓墣产业研究所半导体研究中心研究员许汉州表示，智能手机取代功能型手机的商机即将在新兴市场爆发，并成为未来全球智能手机出货成长动力，可想而知，零组件厂商若要抢先卡位该市场，元件价格将是决定性关键因素。在元件低价化风潮下，CMOS PA厂商可望挟价格及尺寸双重优势于中低价手机市场大发利市，预估2016年CMOS PA市占可望提升至15%~20%。

许汉州进一步以高通(Qualcomm )支援长程演进计划(LTE)的RF 360解决方案(图2)为例，其运用封包功率追踪(Envelope Power Tracking)技术提升CMOS PA效率，以及0.18微米(μm)CMOS绝缘层覆矽(SOI)制程优化附加功率效率(PAE)，不仅较传统PA减少一半以上的占位面积，更可降低射频(RF)耗电量高达30%的比例。

图2 高通RF 360解决方案

不过，CMOS PA虽具有尺寸及价格优势，但其效率仍较GaAs PA低，因此，讲求高待机时间的高端智能手机仍将主要采用GaAs方案，并且GaAs PA厂商也将在GaAs PA设计中加入封包功率追踪技术，以彰显与CMOS PA间的元件特性差异。据了解，三星(Samsung)Galaxy Note 3即采用具备封包功率追踪器的GaAs PA方案。

许汉州认为，GaAs PA业者除以封包功率追踪技术加强产品于高端手机市场渗透率外，亦将加速研发多频多模功率放大器(MMPA)。至于中低价手机市场，GaAs PA厂商则可能同步发展CMOS PA技术，并走向轻晶圆代工模式，拉近与CMOS PA价格差距。

许汉州指出，GaAs PA厂商运用垂直分工模式，将量大且低价的市场交由专业GaAs晶圆代工厂制造，将可避免耗费过多资本支出于晶圆厂产能的建置，该模式将是多数GaAs PA厂商的主要策略。台湾GaAs晶圆代工厂商只要紧跟制程研发脚步并谨慎扩产，将在此趋势下抢占重要的产业位置。

根据拓墣产业研究所最新研究报告指出，2012年450美元以上智能手机占总出货量达55%，但随着新兴市场带动中低价手机出货量快速成长，2013年其占比将仅剩47%，至2014年则仅剩四成，而300美元以下方案出货比占则大幅成长至32%，而手机价格上的变化将带给中国大陆本土零组件厂商机不可失的发展契机，一股国际半导体厂商不容忽视的新势力正快速崛起。[!--empirenews.page--]

　　中国芯片商势力抬头

中国大陆本土零组件厂商由于市场起步较晚，多半以低价策略抢先卡位中低价手机商机，不过与此同时，海思、锐迪科、云英谷等中国大陆本土芯片业者已分别于基频芯片、处理器、显示器等领域突破技术桎梏，并向国际芯片商投下战帖，欲加速蚕食中国大陆中低价手机市场大饼。

徐奕斐表示，中国大陆中低价手机市场对成本十分敏感，因而吸引以成本控管能力见长的本土IC设计商大举投入该市场，该类厂商多半先以低价策略开疆辟土，拥有一定市占后，再以新一代的技术拓展高性价比的智能手机市场。

徐奕斐举例，2013年底中国大陆政府工信部即将发放TD-LTE牌照，虽然目前高通仍以应用处理器(AP)与基频芯片的整合方案一家独大，但若观察中国移动的招标结果，则发现海思产品获得采购的比重亦逐渐攀升。据了解，目前海思最新技术已可做出五模十频方案，未来将有可能逐渐由中低价手机市场进逼高通市占。 不仅海思，锐迪科也正快速崛起。锐迪科善于硬体设计与整合技术，一直以来系市场砍价高手，今年下半年锐迪科已正式跨足智能手机处理器市场，最新产品业已上市，业界预期锐迪科的超低价处理器方案将让智能手机售价推向新低点。

事实上，中国大陆中低价手机品牌小米、纽曼、卓普、TCL等除抢搭多核心处理器外，亦开始利用五百万像素(Pixel)前镜头、一千三百万像素后镜头及全高画质(FHD)屏幕凸显产品高性价比特色。有鉴于此，中国大陆深圳厂商云英谷今年下半年已量产一批显示器，利用演算法提升面板亮度并去除冗余色彩，让非晶矽(a-Si)面板可直接由WVGA解析度升级至HD或FHD显示效果，同时保持彩色画面色彩饱和度。

至于智能手机镜头市场，则由格科微及思比科两家厂商各擅胜场，前者采用背照式(BSI)技术、后者则采用前照式(FSI)技术，先后于今年推出用于低价智能手机的五百万像素互补式金属氧化物半导体(CMOS)影像感测器，以COB(Chip On Board)方式封装，单价约1.4?1.6美元，预计于2014年大举抢攻超低价智能手机市场。

显而易见，中国大陆半导体市场在IC设计业者与代工厂齐力合作下，产值将明显跃升，成为一股国际芯片商无法忽视的庞大新势力，而国际半导体厂商将如何针对TD-LTE时代中的中低价手机商机改变营运策略，将成为公司获利的重要关键。