SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻渐成趋势

通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。

目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。

比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管（SBD）。在SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日举行）上，该公司比较了该试制SBD与原来利用230μm厚的基片制造的相同耐压的SBD的导通电阻值。50μm产品的导通电阻为0.22mΩcm2，减小到了230μm产品的0.48mΩcm2的一半以下。

三菱电机也利用90μm厚的SiC基片试制了耐压1.2kV的SiC SBD。该公司在ICSCRM 2013发表了相关成果，虽未公布具体的导通电阻值，但与使用约300μm厚的基片制造的相同耐压的SBD相比，导通电阻减小了0.4mΩcm2。

另外，英飞凌也在致力于利用薄型SiC基片的SiC二极管的研发。该公司在2013年5月举行的功率半导体国际学会“ISPSD 2013”（日本电气学会主办）上发表了将基片减薄至110μm的耐压650V的SiC二极管。（记者：根津 祯，《日经电子》）