Q3全球DRAM营收季增9％ 寡占三强得利

随著DRAM市场结构面改善，全球第三季存储器产值93亿美元，比第二季续攀升9%，龙头三星成长逾二成最亮眼。DRAM产业走入三强寡占型态，三星、海力士、美光第三季业绩持续成长。

根据市场研究机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange表示，虽然第三季存储器价格涨幅不若上半年凌厉，但受惠于DRAM整体结构面的大幅改善，第三季全球DRAM总营收仍有9%的季成长，更持续推升DRAM供应商的获利能力；主要三大DRAM厂营业利益(operating margin)季增长约达2%，其中差异点主要取决标准型存储器的产出多寡。

TrendForce研究协理吴雅婷表示，以两大韩系厂商为例，由于第三季标准型存储器涨幅高于行动式存储器，SK海力士标准型存储器产出比重较大下，其营业利益来到34%，且连续两个季度超过三星半导体。原本预估下半年DRAM价格走势将受到需求疲弱冲击，却因九月初SK海力士无锡大火影响让平均销售单价(average selling price)持续上涨，2013年DRAM总营收可望较去年大幅成长四成，产业中仅存下来的三大巨头都享受到长久未见的丰硕获利。

从全球DRAM厂自有品牌存储器市占比例来观察，三星半导体与SK海力士半导体各为37%与29%，两者差距再度拉开，其重点在于三星半导体策略性的提高其标准型存储器比重，除了想重回该领域的领导地位外，觊觎其丰硕获利亦是主因之一。长远来看，三星半导体对其内部的产能调配将会更有弹性，除了该自有三星品牌的智能型手机将会向其它供应商购买行动式存储器之外，亦传出决议在Line16小幅增加DRAM产能，虽然规模仅约当每月3万片，但对于转进25纳米制程所造成的良率损失也能够产生立竿见影的效果。

SK海力士方面，由于第三季标准型存储器价格涨幅较上季缩小，相较于前季的40.7%的高成长，第三季成长仅约3.7%。但展望第四季，受到无锡厂大火影响，标准型存储器产出受到严重冲击，产品组合比重从原先的35%骤减至25%。至今无锡产能回复状况仍不明朗下，将是牵动2014年价格走势最重要的关键因素。

在本次第三季营收市占报告中，TrendForce首度将美光与日商尔必达合并计算，综合市占为26.2%，新美光集团与SK海力士的差异仅有2%，以月产能来看更已经稳居产业第二，寡占市场结构首度在第三季隐约成型。若站在标准型存储器的角度做观察，新美光集团的产出比例将占总产业的三分之一强，对该市场的影响力将大幅增加。

台系厂部分，南科(2408)由于自第三季停止从华亚科取得晶圆，加上积极转进30纳米制程时所造成的产能降低，以及标准型存储器在南科比重已低，无法从SK海力士无锡厂火灾直接受惠，让南科第三季营收小幅下滑8.3%。力晶(5346)则在第三季营收大幅跃进约75%，其原因在于力晶在今年第二季的五月才重新启动P3厂存储器代工业务，基期较低下让营收有如此突出的表现，其它如代工费用的调涨及承接毛利较高的产品代工亦是营收成长主因之一。华邦电(2344)则受到第三季客户功能型手机出货逐步降低，导致小容量行动式存储器销售不佳，营收小幅下滑5.2%，但随著九月SK海力士无锡火灾影响，利基型存储器价格上涨将对第四季营收有正面助益。

从市场面来观察，TrendForce认为，随著九月SK海力士无锡厂大火后，正牵动著市场三强对于第四季甚至2014年的策略规划，如三星提升DRAM的投片比重、SK海力士倾全力回复无锡厂产能，新美光集团将20纳米制程列入首要目标；虽然DRAM产业走入寡占型态，稳定价格与获利是必然的走向，但三强间的竞争仍不会停歇。