东芝推出采用19纳米工艺技术的嵌入式NAND闪存模块

东芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。该模块符合最新的e?MMCTM [1]标准，旨在应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品。批量生产将从11月底开始。

能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的高密度NAND闪存芯片的需求不断增长。这在包含控制器功能的嵌入式存储器领域尤为明显，这种嵌入式存储器可以使开发要求降至最低，并使得整合进系统设计更加便利。东芝正通过增强其高密度存储器产品系列来满足这一需求。

该公司的新型32 GB嵌入式设备在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit（相当于8GB）NAND芯片（采用东芝的19纳米第二代尖端工艺技术制造）和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDEC e?MMCTM 5.0版标准，并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。

东芝将在密度为4GB至128GB的单一封装嵌入式NAND闪存系列中使用这些NAND芯片。所有设备都将整合一个控制器来管理NAND应用的基本控制功能。

新产品系列

产品名称容量封装批量生产

THGBMBG8D4KBAIR 32GB153球FBGA

11.5x13x1.0mm 2013年11月底

THGBMBG7D2KBAIL16GB 153球FBGA

11.5x13x0.8mm2013年11月底

在16GB和32GB产品之后，东芝将依次推出4GB、8GB、64GB和128GB产品。

主要功能

1.符合JEDEC e?MMCTM 5.0版标准的接口可以处理基本功能，包括写块管理、纠错和驱动软件。它可简化系统开发，让制造商能够使开发成本最小化，并加快新产品和升级产品的上市速度。

2.嵌入系统后，128GB模块能够以128Kbps比特率记录长达2,222小时的音乐、16.6小时的全高清视频和38.4小时的标清视频[2]。

3.新产品采用使用19纳米第二代尖端工艺技术制造的NAND闪存芯片。

4.新产品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封装，并且拥有符合JEDEC e?MMCTM 5.0版标准的信号布局。

主要规格

产品名称THGBMBG8D4KBAIRTHGBMBG7D2KBAIL

接口 JEDEC e?MMCTM 5.0版标准

HS-MMC接口

容量 32GB 16GB

电源电压2.7~3.6V（存储器核）

1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V（接口）

总线宽度 x1 / x4 / x8

写入速度每秒90MB.

（循序/HS400模式） 每秒50MB

（循序/HS400模式）

读取速度每秒270MB

（循序/HS400模式） 每秒270MB

（循序/HS400模式）

温度范围 -25至+85摄氏度

封装153球FBGA

11.5x13x1.0mm 153球FBGA

11.5x13x0.8mm

[1] e?MMCTM是采用JEDEC e?MMCTM标准规格制造的嵌入式存储器产品的商标和产品类别。

[2] HD和SD分别按照17Mbps和7Mbps的平均比特率计算。