3D NAND快闪记忆体成业界新焦点

讯：资料中心(Data Center)将成驱动记忆体业成长的新动能。随着云端服务崛起，全球资料中心逐渐往大型(Large)及超大型(Very-Large)发展；目前这两类资料中心占整体资料中心的资本支出比重已达六成，且未来仍将节节攀升，可望带动庞大储存需求，并推助记忆体业创造另一波成长高峰。

东芝(Toshiba)集团前资深执行副总裁暨现任常任顾问齐藤升三(Shozo Saito)表示，企业界近年来开始仰赖巨量类比资料(Big Analog Data)运算及分析，以提供客户差异化的服务价值，而在分析巨量资料的过程中还会再衍伸、创造出新的资料，如此庞大的资料流量将使企业界面临资讯爆炸(Info-plosion)的处境。

齐藤进一步引述国际数据资讯(IDC)的资料表示，2010年人类创造的资料量为1.8ZB(Zettabyte)，预估至2020年将劲扬至35ZB，如此庞大的资料量固然为资料中心的运算及运作带来巨大的负担与挑战，但同时也为储存技术与装置带来了无限商机。

Rambus执行长Ronalad Black也认为，记忆体产业与云端产业的发展将相辅相成。因应这波庞大的商机，无论是针对高效能运算系统(High Performance Computing,HPC)、一般云端运算等，相关供应链厂商无不对资料中心悉心布局各种储存解决方案，包括快闪记忆体(Flash Memory)、固态硬盘(Solid State Drive,SSD)、传统硬盘(Hard Disk Drive,HDD)等。

齐藤指出，在众多储存解决方案中，NAND快闪记忆体将受惠最多。事实上，层出不穷的新应用将不断为NAND快闪记忆体带来新的S曲线(S-curve)生命周期，如数位相机等电子产品，以及智能手机和平板电脑即分别掀起两次NAND快闪记忆体的需求浪潮。他预估，在2015年之后将出现另一波大规模的资讯爆炸，势必将为NAND快闪记忆体带来第三波成长高峰。

因应资料中心庞大的储存需求，业界亦戮力开发NAND快闪记忆体的新技术及新制程。齐藤表示，三维(3D)NAND快闪记忆体具备高密度储存容量的优势，已成产业界新焦点；如东芝以BiCS(Bit-cost Scalable)结构研发的次世代3D NAND快闪记忆体及3D可变电阻式记忆体(ReRAM)即已于2013年完成送样，并预计在2015年正式量产。