恩智浦半导体推出首款采1.1-mm2无铅塑胶封装3 A电晶体
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苏松涛/报导
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装的电晶体。全新产品组合由25种元件组成，其中包括低RDson MOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2 A的低饱和通用电晶体。此全新产品系列凭藉其超小尺寸和高性能，相当适用于可携式、空间受限应用的电源管理和负载开关，特别因外形大小、功率密度和效率皆为关键因素。
恩智浦半导体电晶体产品经理Joachim Stange表示：「在微小的塑胶封装内达到如此高的汲极和集极电流值是前所未有的。凭藉这一突破性的里程碑，恩智浦将继续挑战MOSFET和双极性电晶体在超紧致封装和性能方面的极限。」
全新产品系列采用两种封装：单晶DFN1010D-3 (SOT1215)封装，功耗最高达到1 W，具备镀锡与可焊式侧焊垫的特性。这些侧焊垫提供光学焊接检测的优势，与传统无铅封装相比，焊接连接品质更好，能满足严格的汽车应用要求。双晶封装DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空间仅为1.1-mm²，是双电晶体可采用的最小封装。
采用DFN1010封装的产品可替代许多WL-CSP装置。另外，该封装也可以取代体积更大的DFN封装和标准含铅SMD封装（例如达其体积八倍的SOT23），同时提供同等甚至更为出色的性能。
全新产品组合主要特点：
• 1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封装
• 功率消耗(Ptot) 最高达到1 W
• 采用镀锡与可焊式侧焊垫，贴装性能更好，符合汽车应用要求
• 单通道和双通道MOSFET（N-ch/P-ch）
• RDSon值低至34mOhm
• ID最高达到3.2 A
• 电压范围为12 V至80 V
• 1 kV ESD保护
• 低VCEsat (BISS)单晶体管
• VCEsat 值低至70 mV
• 集极电流(IC)最高达到2 A，峰值集极电流(ICM)最高达到3 A
• VCEO范围为30 V至60 V
• 符合AEC-q101标准
• 双通道NPN/PNP配电阻（数位）电晶体（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101标准）
• 通用单晶体和双电晶体
上市时间
采用DFN1010封装的全新电晶体现已量产，即将上市。
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