20纳米芯片已量产 今年且看台积电

据悉，台积电的20nm工艺内部代号为“CLN20SOC”，具备极高的晶体管集成度，非常适合高性能SoC单芯片(看代号的最后三个字母)。它使用了高K金属栅极电介质，芯片可以达到很高的频率，同时能够很好地控制漏电率。

此外，台积电16纳米FinFET(鳍式场效电晶)制程，也正准备为客户进行产品设计定案(tape-out)，估计明年第1季即可无缝接轨量产。台积电共同执行长刘德音预期，台积电在10纳米制程，晶体管密度就会与英特尔相近。

而从五月份开始，台积电Fab 15工厂的三期、四期也会加入20nm行列。台积电方面预计，20nm将在今年为其贡献10%左右的收入，其中第四季度能达到20%。

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