智原发表联电28奈米元件库与记忆体编译器

智原科技(Faraday Technology)发表在联电28奈米高效能行动运算(HPM)与高效能低功耗(HLP)制程的元件库(cell library)与记忆体编译器(memory compiler)。这套完整的28奈米解决方案，可满足市场对低功耗、高密度与高速效能的需求，并有效提高良率。

因应不同市场的需求，智原科技的28奈米元件库中，包含了7轨的 minilab 、9轨的通用型元件库、以及12轨的 UHS-Lib 。同时，全系列都搭载了 PowerSlash 、多种临界电压元件、不同通道长度元件(multi-channel length)等低功耗机制。当中， miniLib 在不影响绕线能力(routability)的情况下，可大幅缩小晶片面积，约达20%；而12轨的 UHS-Lib 则可提高ARM CPU 的效能，达到1.5GHz。

为了克服先进制程中的高度变异性，智原的28奈米记忆体编译器，采用多种辅助电路来提高产出的良率与效能。其中，智原专利的 NBL (Negative BitLine)技术可在低压状况下，强化写入的能力，且经矽验证，可在28奈米 HPM 变异最大(worst corner)的制程条件下，提升良率。

而新一代的感测电压追踪技术与 DPRAM 的储存单元电流增强技术(cell current boost)可增加读取成功率，降低最低工作电压约200mV。另一项获得专利的 WLUD 技术，在测试晶片上，也已经被证实可有效降低读取干扰。而 ROM 的部份，智原则采用最新的字元线漏电控制(bit-line leakage suppression)，与随制程变化自动调整的位元线升压(adaptive word-line boost)技术，进一步扩大低压条件下的读取范围。