内存技术更新至少还得再等十年

很少人会想到 NAND快闪内存已经快要消失在地平在线、即将被某种新技术取代，笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于闪存储存系统的电话会议，听到不少储存系统专家试图把对话导引到IBM在下一代内存技术的规划上，于是很惊讶地发现这些人居然都认为 NAND闪存很快就会被新内存技术取代。

笔者在去年7月的HotChips大会上曾经做过一场简报，指出闪存在未来十年将会是主流内存技术；而现在该产业才刚进入SanDisk所说的 “1Ynm”世代，接着还将迈入“1Znm”世代。SanDisk认为，在”1Znm”之后，平面内存将式微，我们将进入3D内存的时代；其他 NAND闪存制造大厂也有类似的预测。

不过有鉴于这个产业的运作模式，在”1Znm”世代之后，若出现另一条延续平面内存生命的新途径也不足为奇；因此如果以每个内存世代两年生命周期来计算，平面闪存应该还能存活4~6年。在那之后，我们则将会拥有3D NAND闪存技术。

虽然三星(Samsung)在去年8月宣布开始量产3D结构的V-NAND闪存，但该产品的稀有性意味着它还没准备好取代平面内存的地位；笔者猜测，3D内存技术到2017年以前应该都还不会真正的大量生产。

今日大多数厂商都预期3D内存在式微之前也会经历三个世代，因此同样以两年一个世代来计算，NAND闪存技术应该在4~6年之后，还会有另外一个6年的生命；所以在内存产业真的需要新技术来驱动产品价格下降那时，应该已经是10~12年之后了。

我的意思并不是其他内存技术有什么不对，只是目前尚未有足够的力量让它们的价格能比 NAND闪存更低廉；而且在 NAND闪存到达制程微缩极限之前，也没有其他的动能可以改变现在的状况。无论如何，要达到最低的成本、总是要有最大的产量，NAND闪存与DRAM目前就是比其他任何一种内存技术更便宜的方案。