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[导读]凌力尔特(Linear Technology Corporation)日前发表用于9V至72V系统的汽车(H等级)及高可靠性军事(MP-grade)等级的理想二极体桥式控制器 LT4320 ,该元件可透过低损耗 N 通道 MOSFET 电桥取代全波桥式整流器,以降低10

凌力尔特(Linear Technology Corporation)日前发表用于9V至72V系统的汽车(H等级)及高可靠性军事(MP-grade)等级的理想二极体桥式控制器 LT4320 ,该元件可透过低损耗 N 通道 MOSFET 电桥取代全波桥式整流器,以降低10倍以上的功耗及电压损耗。

更强化的电源效率使其不需笨重的散热片,而可减少电源供应器尺寸。低压应用可因省下二极体电桥中固有的两个二极体压降而受益于额外的余裕。相较于传统的替代方案,MOSFET电桥可达到高空间及电源效率的整流器设计。H及MP等级版本分别保证可作业于-40℃至125℃及-55℃至125的温度范围。

LT4320的开关控制可平缓地开启两组适切的 MOSFET ,同时保持其他两组关闭,以防止反向电流。内建的电荷泵针对外部低导通电阻N通道 MOSFET 提供了闸极驱动器,无需外部电容器。 MOSFET 的选择提供了最高的功率位准弹性,其范围可从一至数千瓦。

LT4320 目前供货两种选项: LT4320 针对DC 至60Hz 电压整流而设计, LT4320-1 则针对 DC 至 600Hz整流而设计,其加倍了顶端源/汲极(source-drain)调节电压。H等级元件采用8接脚DFN (3mm x 3mm )及PDIP封装,12接脚 MSOP 封装则具备强化的高压针脚间距,MP等级则供货12接脚MSOP 封装。

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