IR扩充StrongIRFET系列

时间：2014-04-15 05:15:00

关键字： FET STRONG RF 元件

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[导读]国际整流器(IR)扩充StrongIRFET系列，为高效能运算及通讯等应用推出20～30伏特(V)元件；其中的IRL6283M 20伏特DirectFET为该系列重点元件，备有极低导通电阻(RDS(on))。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示，StrongIRFET系

国际整流器(IR)扩充StrongIRFET系列，为高效能运算及通讯等应用推出20～30伏特(V)元件；其中的IRL6283M 20伏特DirectFET为该系列重点元件，备有极低导通电阻(RDS(on))。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示，StrongIRFET系列经扩充后，能够满足市场对动态ORing和电子保险丝高效率开关的需求。全新IRL6283M在高效能封装内配备导通电阻，可实现理想的功率密度。

IRL6283M在超薄的30毫米平方(mm2)DirectFET中型罐封装内，配备低至500微欧姆(μΩ)(典型值)的导通电阻，以大幅降低传导损耗，适合动态ORing和电子保险丝(eFuse)应用；新元件可从3.3伏特、5伏特或12伏特的电源轨操作，当电流达20安培(A)时，相较尺寸同为30毫米平方的同类型最理想PQFN元件降低15%损耗，使设计师能在高电流应用内减少元件数量。

与DirectFET系列其他元件一样，IRL6283M提供有效增强电气和温度效能的上层散热功能，以及改善可靠性的无键合线设计；此外，DirectFET封装符合电子产品有害物质限制指令(RoHS)要求。

StrongIRFET系列提供采用行业标准占位面积的PQFN封装元件，并备有不含铅且符合电子产品有害物质限制指令的环保物料清单。

国际整流器网址：www.irf.com