SanDisk针对入门装置推出iNAND新产品

转自台湾经济日报的消息，SanDisk 加入 TLC 阵营，推出 8GB 以及 16GB 智能手机用的快闪记忆体。

中国的智能手机市场拥有相当大的市场，近期在低价智能手机方面，有着相当多的需求，这次 SanDisk 发表的 iNAND 标准快闪记忆体（embedded flash drive, EFD）则是针对这样的市场而退出。

1Y nm 制程，也就是 10nm 世代的 3-bit-per-cell（X3）NAND Flash，就是我们一般称为 TLD 的颗粒。

虽然这款产品以价格作为导向，但其对应到 e.MMC 4.51＋HS2.00 模式。在读写表现方面，其顺序读写速度为 100MB/s 以及 7.5MB/s，另外随机读写表现则是 3000/200 IOPS。

这款 iNAND 标准的快闪记忆体已经开始在平板电脑上采用，至于智能手机部分，则需要等到 2014 下半年才会见到。

预期 SanDisk 将会在 Computex 2014 中正式宣布这款锁定中低阶行动通讯装饰的 iNAND 标准快闪记忆体。