LED洗牌/中国半导体工艺获突破

【导读】据最新消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破。

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)开发出带透镜的面贴装小型、高输出LED“CSL0701/0801系列”产品，是用于数码相机或带摄像功能的手机等的自动对焦辅助光源的最佳产品。

通过罗姆特有的元器件加工技术和光学设计，实现了业界最小级别的2924尺寸(2.9×2.4mm)，与以往产品相比安装面积减少65%，高度降低30%，更加轻薄。

此次开发的LED，采用了更小型的发光元件以及CAE(Computer Aided Engineering)技术光学设计，并且，利用罗姆独家的模具技术采用了非球面透镜，从而实现了非球面透镜的面贴装LED产品中的业界最小级别2924尺寸(2.9×2.4mm)。与以往产品相比，安装面积减少了65%，高度降低了30%，更加轻薄。

编辑解读：

近年来，数码相机及部分带摄像功能的手机正朝着小型化、高性能化方向迅速发展，因此，对所使用的电子零部件的小型化、轻薄化要求也越来越高。另外，随着这些设备的多功能化发展，电流越发增加，因此，对更低功耗产品的需求也日益高涨。

另一方面，为了准确测量焦点，自动对焦辅助光用的透镜LED需要发出充分的光量给被摄物，因此，一般会采用半球透镜，这就很难实现小型、轻薄化。

自从罗姆于业界第一家开发出可自动回流焊的自动对焦辅助光用侧视型LED以来，相关产品日益小型化、高性能化，并一直拥有引以为豪的高市场占有率。

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中国22纳米半导体工艺获重大突破

说起先进的半导体工艺，Intel、IBM、台积电、三星电子这些耳熟能详的名字肯定会立刻出现在大家的脑海中，而因为各方面的限制，国内在这方面的差距还非常非常大，只有中芯国际能拿得出手，但也总比国外落后几个时代。

不过据最新消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心(以下简称先导工艺研发中心)通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。

编辑解读：

由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。 这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。

MEMS谐振器超越石英性能

SiTime公司(SiTime Corporation)今天宣布，推出TempFlat MEMS。在TempFlat出现之前，所有MEMS振荡器都采用补偿电路来达到所需频率稳定度。 而SiTime的TempFlat MEMS是一个革命性的突破，通过消除温度补偿需求，大幅度的促进了性能的提高，尺寸的缩小，功耗和成本的降低。

Yole Developpement的策划经理和首席分析师Laurent Robin表示：“到2018年，预计MEMS振荡器市场将以60%的复合年增长率增长，达到4.67亿美元，成为MEMS产业前三大增长领域之一。SiTime的TempFlat MEMS的是一个令人兴奋的发展，有助于SiTime瞄准任何精密时钟应用的目标，无一例外。SiTime的TempFlat MEMS技术和半导体基础设施无与伦比的组合将永久改变时钟市场，同时加快硅MEMS时钟解决方案的采用。”

编辑解读：

SiTime始创时就具有了利用改变游戏规则的MEMS和模拟技术，可以推动时钟发展。SiTime公司可以凭借TempFlat MEMS，针对智能手机的32 kHz振荡器，进军高速发展的移动设备市场。

赛灵思发布业界首款ASIC级可编程架构UltraScale，20nm开始投片

Xilinx日前宣布，延续28nm工艺一系列行业创新，在20nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片半导体行业首款20nm器件，也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20nm All Programmable器件;发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScale。这些具有里程碑意义的行业第一发布，延续了赛灵思在28nm领域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增强型设计套件上所实现的一系列行业第一的优势。

赛灵思同台积合作，就像28HPL(高性能低功耗)开发过程一样，把高端FPGA的要求注入20SoC开发工艺之中。赛灵思和台积公司在28nm工艺节点上的通力协作，让赛灵思成为行业第一个28nm All Programmable FPGA、SoC和3D IC器件的推出者，把赛灵思推上了性价比和功耗、可编程系统集成以及降低材料清单(BOM)成本方面领先一代的地位。现在，赛灵思已经将这种行之有效的行业领先合作模式从28nm扩展到20nm，推出了行业首个ASIC级可编程架构 — UltraScale。

编辑解读：

现在，数据流的增大对系统性能提出了新的要求，智能处理的能力和速度的要求越来越高，对通信、时钟、关键路径以及互连技术的综合性能要求也随之水涨船高，最新开发的UltraScale架构包括20nm平面晶体管结构(planar)工艺和16nm乃至FinFET晶体管技术扩展，包括单芯片(monolithic)和3D IC。它不仅能解决整体系统吞吐量扩展限制的问题和时延问题，还能直接应对先进节点芯片性能方面的最大瓶颈问题 — 互连。

要和苹果分手了?三星将向亚马逊和索尼提供芯片

三星和苹果曾达成协议，规定三星于2014年年底将停止向苹果提供配件。在这一协议之下，三星将会向苹果提供用于即将推出的iPhone 5S以及新iPad的处理器芯片直到明年上半年。为苹果提供芯片是三星业务中的重要一环。市场研究公司IC Insights的数据显示，三星去年芯片业务43.3亿美元的营收中有89%都来自于苹果，约38亿美元。

在和苹果业务终止之前，三星正在为自己的芯片寻找众多买主。一位消息人士透露：“三星盯上了亚马逊、索尼、Nvidia等，希望把他们变为新客户以抵消苹果降低采购额的影响。”[!--empirenews.page--]

消息人士还透露，三星正在就相关事宜和索尼以及Nvidia进行谈判，但三星和亚马逊还并未走到谈判环节。原因很可能是亚马逊正在为自主品牌开发处理器芯片，这些芯片很有可能会用在Kindle系列平板电脑上。

编辑解读：

苹果与三星的关系历来是错综复杂，一方面专利官司打不停，一方面又积极合作。

如果三星和这些公司最终达成共识，一些搭载Exynos芯片的智能手机，如索尼智能手机将会有新的发展空间。另外三星也很有可能会生产Nvidia的芯片。众所周知，Nvidia正在寻找能运用自己图形技术的芯片开发商，或许Nvidia和三星在未来将会合作生产芯片?

目前这些消息尚未得到相关公司的证实。但如果消息确实属实，那么三星在移动市场上的地位将会产生何种变化?智能手机最大芯片制造商高通地位是否会受到三星的影响?让我们拭目以待。
【导读】据最新消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破。

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)开发出带透镜的面贴装小型、高输出LED“CSL0701/0801系列”产品，是用于数码相机或带摄像功能的手机等的自动对焦辅助光源的最佳产品。

通过罗姆特有的元器件加工技术和光学设计，实现了业界最小级别的2924尺寸(2.9×2.4mm)，与以往产品相比安装面积减少65%，高度降低30%，更加轻薄。

此次开发的LED，采用了更小型的发光元件以及CAE(Computer Aided Engineering)技术光学设计，并且，利用罗姆独家的模具技术采用了非球面透镜，从而实现了非球面透镜的面贴装LED产品中的业界最小级别2924尺寸(2.9×2.4mm)。与以往产品相比，安装面积减少了65%，高度降低了30%，更加轻薄。

编辑解读：

近年来，数码相机及部分带摄像功能的手机正朝着小型化、高性能化方向迅速发展，因此，对所使用的电子零部件的小型化、轻薄化要求也越来越高。另外，随着这些设备的多功能化发展，电流越发增加，因此，对更低功耗产品的需求也日益高涨。

另一方面，为了准确测量焦点，自动对焦辅助光用的透镜LED需要发出充分的光量给被摄物，因此，一般会采用半球透镜，这就很难实现小型、轻薄化。

自从罗姆于业界第一家开发出可自动回流焊的自动对焦辅助光用侧视型LED以来，相关产品日益小型化、高性能化，并一直拥有引以为豪的高市场占有率。

 中国半导体工艺" />

中国22纳米半导体工艺获重大突破

说起先进的半导体工艺，Intel、IBM、台积电、三星电子这些耳熟能详的名字肯定会立刻出现在大家的脑海中，而因为各方面的限制，国内在这方面的差距还非常非常大，只有中芯国际能拿得出手，但也总比国外落后几个时代。

不过据最新消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心(以下简称先导工艺研发中心)通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。

编辑解读：

由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。 这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。

MEMS谐振器超越石英性能

SiTime公司(SiTime Corporation)今天宣布，推出TempFlat MEMS。在TempFlat出现之前，所有MEMS振荡器都采用补偿电路来达到所需频率稳定度。 而SiTime的TempFlat MEMS是一个革命性的突破，通过消除温度补偿需求，大幅度的促进了性能的提高，尺寸的缩小，功耗和成本的降低。

Yole Developpement的策划经理和首席分析师Laurent Robin表示：“到2018年，预计MEMS振荡器市场将以60%的复合年增长率增长，达到4.67亿美元，成为MEMS产业前三大增长领域之一。SiTime的TempFlat MEMS的是一个令人兴奋的发展，有助于SiTime瞄准任何精密时钟应用的目标，无一例外。SiTime的TempFlat MEMS技术和半导体基础设施无与伦比的组合将永久改变时钟市场，同时加快硅MEMS时钟解决方案的采用。”

编辑解读：

SiTime始创时就具有了利用改变游戏规则的MEMS和模拟技术，可以推动时钟发展。SiTime公司可以凭借TempFlat MEMS，针对智能手机的32 kHz振荡器，进军高速发展的移动设备市场。

赛灵思发布业界首款ASIC级可编程架构UltraScale，20nm开始投片

Xilinx日前宣布，延续28nm工艺一系列行业创新，在20nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片半导体行业首款20nm器件，也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20nm All Programmable器件;发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScale。这些具有里程碑意义的行业第一发布，延续了赛灵思在28nm领域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增强型设计套件上所实现的一系列行业第一的优势。

赛灵思同台积合作，就像28HPL(高性能低功耗)开发过程一样，把高端FPGA的要求注入20SoC开发工艺之中。赛灵思和台积公司在28nm工艺节点上的通力协作，让赛灵思成为行业第一个28nm All Programmable FPGA、SoC和3D IC器件的推出者，把赛灵思推上了性价比和功耗、可编程系统集成以及降低材料清单(BOM)成本方面领先一代的地位。现在，赛灵思已经将这种行之有效的行业领先合作模式从28nm扩展到20nm，推出了行业首个ASIC级可编程架构 — UltraScale。

编辑解读：

现在，数据流的增大对系统性能提出了新的要求，智能处理的能力和速度的要求越来越高，对通信、时钟、关键路径以及互连技术的综合性能要求也随之水涨船高，最新开发的UltraScale架构包括20nm平面晶体管结构(planar)工艺和16nm乃至FinFET晶体管技术扩展，包括单芯片(monolithic)和3D IC。它不仅能解决整体系统吞吐量扩展限制的问题和时延问题，还能直接应对先进节点芯片性能方面的最大瓶颈问题 — 互连。[!--empirenews.page--]

要和苹果分手了?三星将向亚马逊和索尼提供芯片

三星和苹果曾达成协议，规定三星于2014年年底将停止向苹果提供配件。在这一协议之下，三星将会向苹果提供用于即将推出的iPhone 5S以及新iPad的处理器芯片直到明年上半年。为苹果提供芯片是三星业务中的重要一环。市场研究公司IC Insights的数据显示，三星去年芯片业务43.3亿美元的营收中有89%都来自于苹果，约38亿美元。

在和苹果业务终止之前，三星正在为自己的芯片寻找众多买主。一位消息人士透露：“三星盯上了亚马逊、索尼、Nvidia等，希望把他们变为新客户以抵消苹果降低采购额的影响。”

消息人士还透露，三星正在就相关事宜和索尼以及Nvidia进行谈判，但三星和亚马逊还并未走到谈判环节。原因很可能是亚马逊正在为自主品牌开发处理器芯片，这些芯片很有可能会用在Kindle系列平板电脑上。

编辑解读：

苹果与三星的关系历来是错综复杂，一方面专利官司打不停，一方面又积极合作。

如果三星和这些公司最终达成共识，一些搭载Exynos芯片的智能手机，如索尼智能手机将会有新的发展空间。另外三星也很有可能会生产Nvidia的芯片。众所周知，Nvidia正在寻找能运用自己图形技术的芯片开发商，或许Nvidia和三星在未来将会合作生产芯片?

目前这些消息尚未得到相关公司的证实。但如果消息确实属实，那么三星在移动市场上的地位将会产生何种变化?智能手机最大芯片制造商高通地位是否会受到三星的影响?让我们拭目以待。
【导读】据最新消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破。

美宇航局2020年再登陆火星寻找远古生命痕迹

据国外媒体报道，美国宇航局目前正在规划2020年火星探索构想，计划利用现有的好奇号平台进行升级改进，打造可全新的火星“漫游者”。科学家认为好奇号平台适合继续改进，以满足2020年代登陆火星的任务

2012年降落在火星赤道以南盖尔撞击坑的好奇号火星车采用多种先进技术，美国宇航局认为这一平台可以满足未来对火星的探索，任务目的依然是寻找火星上的生命迹象，届时还将把火星样品带回地球研究。火星2020年科学调查团队编制了长达154页的文件，勾勒出未来20年火星探索的蓝图，根据NASA的计划表，2030年代将向火星派遣宇航员并完成登陆。

编辑解读：

在2012年，好奇号有过成功案例，去年好奇号依靠风河公司VxWorks实时操作系统来执行关键任务，如地面作业控制、数据采集以及火星与地球间的通信中继。而使用好奇号作为下一代火星车的设计平台有助于控制成本和降低任务风险。

Sandisk推80MBps高速microSD卡 大部分手机不支持

近日，Sandisk公司推出了新的“Extreme”micro SD卡系列，有16GB、32GB和64GB容量可选，该系列产品称其数据传输速度可以高达80MBps。

Android Policy对Extreme进行了测试，结果表明当使用一个专用的读卡器，64GB卡的速度达到了78MBps。当然，如果把卡插入智能手机里，结果就相差甚远了。目前，除了三星Galaxy S4的Exynos 5 Octa处理器，大部分智能手机都不支持更新版的UHS-1标准，众所周知UHS-1标准的传输速度有了大幅度提升。

另外，Extreme同样被放进Galaxy Note II上进行测试，结果表明，SanDisk的新款数据卡只达到了14MBps的读取速度和14.6MBps的写入速度。尽管和使用专用读卡器的结果差距巨大，不过它仍然比上一代64GB SanDisk microSD卡的速度要快50%到100%。

 

 

编辑解读：

想必没有一个人喜欢在用SD卡传输文件时的漫长等待过程，也没有人会因为追求速度而另外购置一个专用读卡器。所以现在最关键的问题是手机性能需要迎头赶上，跟上数据卡的发展。否则就算数据卡速度再快，在手机上也无用武之地。

国标即将出台LED产业面临洗牌 龙头股望受益

中半导体照明(LED)被誉为第四代照明技术，中国LED产业正在经历着高速增长。记者从11日在上海举行的中国国际半导体照明应用技术论坛上获悉，中国强制性照明安全国家标准明年有望出台，鱼龙混杂的中国LED产业将面临大规模“洗牌”。

编辑解读：

分析人士认为，新“国标”出台无疑将使中国LED产业面临“洗牌”。LED产业规模总量今年继续扩大，但今年的特点是没有技术特点的企业生存空间缩小，而大企业的接单量扩张，随着LED技术逐渐成熟，一定会有品质更高的产品脱颖而出，同时低端产品将被市场淘汰。

LED行业龙头有望受益国标推出，三安光电、天富热电、聚飞光电、水晶光电、莱宝高科等。

中移动TD-LTE终端采购接盅 23家公司入围

据上证报报道，中国移动TD-LTE终端第二季度集中采购已于日前正式结束。本次采购规模约为20万部，包括约15万部的MiFi、约3万部的数据卡、约2万部的CPE以及约6500部手机，中标企业将进行为期三天的公示。

编辑解读：

随着中移动近几年加大力度扩建4G网络建设，业内还预计相关设备的需求也将迎来高峰。国海证券指出，4G网络的建设将带动几大细分行业率先受益。在无线基站建设与传输网建领域，中兴通讯、烽火通信、日海通讯等上市公司有望脱颖而出;在无线射频配套领域，大富科技、武汉凡谷等则可能分得一杯羹。