英伟达联手瑞萨发布整合型SoC 威胁高通龙头地位

【导读】4G整合型手机系统单晶片(SoC)市场又加入两大悍将。英伟达(NVIDIA)与瑞萨移动(Renesas Mobile)在今年全球移动通讯大会(MWC)上，分别发布首款结合四核心应用处理器和长程演进计划(LTE)数据机的整合型SoC，将大幅增强在智慧型手机晶片市场的竞争力，强烈威胁高通的龙头地位。

摘要：  4G整合型手机系统单晶片(SoC)市场又加入两大悍将。英伟达(NVIDIA)与瑞萨移动(Renesas Mobile)在今年全球移动通讯大会(MWC)上，分别发布首款结合四核心应用处理器和长程演进计划(LTE)数据机的整合型SoC，将大幅增强在智慧型手机晶片市场的竞争力，强烈威胁高通的龙头地位。

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4G整合型手机系统单晶片(SoC)市场又加入两大悍将。英伟达(NVIDIA)与瑞萨移动(Renesas Mobile)在今年全球移动通讯大会(MWC)上，分别发布首款结合四核心应用处理器和长程演进计划(LTE)数据机的整合型SoC，将大幅增强在智慧型手机晶片市场的竞争力，强烈威胁高通的龙头地位。

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拓墣产业研究所半导体中心研究员许汉州表示，整合应用与基频晶片的整合型SoC具备高效能、低功耗及小体积等优点，并有助缩减系统成本，对开发新一代平价高阶平板手机(Phablet)格外重要。因此，近来一线手机晶片商除陆续将应用处理器升级至四核心规格外，亦全速整并多频多模LTE通讯晶片，包括 NVIDIA、瑞萨移动及ST-Ericsson相继推出新一代4G整合型SoC。

事实上，高通、联发科及ST-Ericsson一向将应用与基频晶片整合设计视为核心竞争力，其中尤以高通布局最快又全面。许汉州分析，高通抢先推出的四核心处理器整合LTE Cat.4基频晶片方案，除已打进多款Phablet供应链外，透过导入7.1声道、4K×2K显示及802.11ac联网功能，亦可望向上攻打重视多媒体播放及串流体验的平板和变形笔电市场;此外，高通也利用较低规格的四核心整合型SoC，布局低价智慧手机公板。

为防堵高通市占不断坐大，NVIDIA四核心整合型SoC--Tegra 4i，特别选用安谋国际(ARM)最新和最高效率的R4 Cortex-A9核心，并导入软体定义LTE数据机，促进晶片效能、尺寸及功耗均衡发展，以满足全方位手机设计需求。

许汉州强调，由于Tegra 4i升级28奈米(nm)高介电常数金属闸极(HKMG)制程，并沿用前一代Tegra 3的4+1 Cortex-A9架构，省下大笔设计、验证与量产成本，因而能提高晶片性价比，有助NVIDIA冲刺中低阶手机市场渗透率。

至于瑞萨移动则押宝近期相当火红的大小核SoC设计，开发四核心Cortex-A15加A7，并整合LTE Cat. 4数据机的整合型方案--MP6530，争抢Phablet市场大饼。瑞萨移动资深执行副总裁暨营运长吉冈真一指出，移动装置对晶片效能要求愈来愈高，驱使晶片商投入开发高整合方案;因应此一趋势，该公司遂结合自家LTE技术与ARM的big.LITTLE设计架构，升级通讯功能并延长装置续航力，以刺激手机厂采购意愿。

除瑞萨移动、NVIDIA外，迈威尔(Marvell)、博通(Broadcom)也全速发展4G整合型SoC，未来亦将对高通造成不小威胁。许汉州指出，Marvell和博通均已具备四核心3G整合型SoC技术，并计划在今年推出LTE基频处理器;一旦两家大厂的新产品顺利问世，除有助拉近与高通的竞争差距，还将压缩二线晶片商生存空间，牵动晶片市场排名变化。

许汉州还提到，英特尔(Intel)在今年CES、MWC中也频频发动手机晶片攻势，并预计在2013年圣诞节前后，量产功耗2瓦(W)的四核心凌动 (Atom)SoC。由于英特尔手机晶片在制程、CPU效能及记忆体频宽方面握有优势，加上近来其低功耗设计、LTE技术均有突破，未来在移动市场的竞争实力亦不容小觑。