英飞凌市场部总监：智能电网只是“智能”还不够!

【导读】受宏观经济疲软影响，2012年半导体市场总体呈现了不景气。英飞凌科技电源管理与多元化市场部全球总监Thomas Schmidt表示，2013年的半导体市场将会继续呈下降趋势，相反地，功率MOSFET领域则会在2013年预计将增长7.7%，移动通信应用将是主要动力。

摘要：  受宏观经济疲软影响，2012年半导体市场总体呈现了不景气。英飞凌科技电源管理与多元化市场部全球总监Thomas Schmidt表示，2013年的半导体市场将会继续呈下降趋势，相反地，功率MOSFET领域则会在2013年预计将增长7.7%，移动通信应用将是主要动力。

关键字：  英飞凌科技，  智能电网，  肖特基势垒二极管

受宏观经济疲软影响，2012年半导体市场总体呈现了不景气。英飞凌科技电源管理与多元化市场部全球总监Thomas Schmidt表示，2013年的半导体市场将会继续呈下降趋势，相反地，功率MOSFET领域则会在2013年预计将增长7.7%，移动通信应用将是主要动力。

Thomas 表示，目前全球约1/3的能源消耗以电的方式被消耗掉，其中美国、欧洲和中国三个国家/地区是三大消耗大户。然而，“大部分的能源实际上不是被用掉了，而是损失掉的，” Thomas说，“而通过使用电源半导体，可有效减少这部分能源损失。” 他指出，至2030年，半导体解决方案可望帮助节省27%的能源。

“传统家庭能源消耗主要用于照明、做饭、取暖等，而现在生活中出现了越来越多的电子设备如多媒体技术、通信、IT设备等，” Thomas说，“这些变化应该促使我们重新思考，当过渡到智能城市时能源的利用方式，以最大限度地减少非必要的能源消耗，如电源损耗、待机功耗，使可再生能源的整合利用及和供/需平衡等。” 而解决所有这些问题，智能电网是必要的，而且是具有局部分布式智能、安全、高效及升级可控的现有电网的升级。

谈到智能电网发展现状时，Thomas指出，“对于建立智能电网来说，仅仅添加‘智能’是不够的。” 新的智能电网系统需要同时实现以下三个目标：减少CO2排放量、电力供需实现平衡、电网实现稳定性和安全性。 “更低的能源消耗可通过高性能半导体器件来实现。”他表示，功率半导体在提高整个电力供应链的能效方面发挥着至关重要的作用，从发电、输配电到最后的用电。同时功率半导体可提高电子设备的电源能效，而在可再生能源领域，它们在将风电和太阳能电力接入电网以及减少输电损耗方面，都发挥了极其重要的作用。此外，安全性—防止恶意攻击;各种使电网实现分布式控制的配套智能设备、传感器、微控制器;可减少电力损失并提供可靠能源的高能效半导体，这些因素都是需要考虑的。

因此英飞凌未来在智能电网领域，将重点发展能源效率、移动和安全性相关的业务。Thomas介绍说，现在英飞凌的产品已经覆盖智能电网所有领域，包括：电源转换、先进传输、智能电表/家居、电动汽车和公共交通、高效率及照明。

针对这些应用，英飞凌在前不久推出旨在提升系统效率同时兼顾易于使用的最新600V CoolMOS P6产品系列。该产品系列弥合了专注于提供极致性能的技术(CP)与强调易于使用的技术(如C6或E6)之间的鸿沟。P6系列可在服务器、通信设备等的整流器、台式机电源和电子游戏机等应用的硬开关和软开关PFC和PWM拓扑中实现出色性能。此外，得益于其细化的产品组合，CoolMOS P6产品系列的性价比在当前市场上的所有超级结技术的产品中罕有其匹。

Thomas介绍说，得益于其更低的Qg，P6提高了效率，尤其是在轻负载条件下。他解释说，像电视机、电脑这些电子设备是不需要24小时开机的，但是不用时一般都处于待机状态，即轻负载状态，英飞凌就希望能提高这一状态下的效率。该产品系列还具备较高的阈值电压，实现提前关断，从而提高软开关应用的效率。由于其性能可靠的体二极管，P6不仅可用于硬开关 PFC，也可用于软开关PWM(如LLC)。另外，经优化的Rg阻值最好地兼顾效率和易于使用性以及对开关行为的有效控制。较之于先前的技术， dv/dt从50V/ns提高至100V/ns，确保其更可靠的性能和更高开关效率。

除了P6系列，英飞凌同时发布的还有第五代650V thinQ! SiC 肖特基势垒二极管。英飞凌将其荣获专利的扩散焊接工艺成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起，改进了热特性，并使一个优值系数(Qc x Vf)与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。其结果是，新一代产品相对于英飞凌以往各代thinQ! 产品， PFC升压级在所有负载条件下的效率都得到了进一步的提升。英飞凌第五代产品的目标应用是高端服务器和电信SMPS(开关模式电源)、PC银盒和照明应用、太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统等。通过利用新一代器件，这些应用不但可以提高能效，而且还可以降低EMI(电磁干扰)，提高系统可靠性，以及缩减成本/尺寸——因制冷要求降低。Thomas表示，第五代SiC二极管相对于以往推出的各代产品，可进一步改进系统能效和功率密度，同时具有极具吸引力的性价比。而P6系列与SiC G5系列，经优化了的功率MOSFET和SiC二极管完美地实现了能效与易用性之间的平衡。