2013功率半导体市场将恢复两位数增长

摘要：  据IMS Research数据，全球功率半导体市场2012年增长率为5.0%，达到320亿美元规模;预期2013年会恢复两位数字增长

关键字：  IMS，  功率半导体

据IMS Research数据，全球功率半导体市场2012年增长率为5.0%，达到320亿美元规模;预期2013年会恢复两位数字增长

作为仅次于大规模集成电路的另一大分支，功率半导体运行于弱电控制与强电之间，对降低电路损耗、提高电源使用效率，发挥着重要作用。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体的应用领域已逐渐从传统的工业控制和4C领域，向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场迈进。关注功率器件行业的技术发展趋势，促进相关行业的发展至关重要。

2013功率半导体市场将恢复两位数增长

增长点来自新领域

LED照明、电动汽车及新一代通信、云计算等新产业形成的新经济增长点。

高效、节能、环保是未来电子产品发展的趋势，如何提高系统电源的效率是厂商们所关心的问题之一。随着国际环保意识的提高和对于绿色消费观念的深入，市场中将会出现越来越多的机遇。

对此，安森美半导体电源市场全球销售及营销高级总监郑兆雄预测指出：“电子产业的发展趋势是所有设备都实现网络化、智能化并具更高能效。比如白色家电已转向采用高能效变速电机，可降低多达50%的能耗，预计变频器电源将越来越受到中国消费者欢迎。安森美半导体在无刷直流(BLDC)电机控制用智能功率模块(IPM)及电源方面的领先地位将帮助中国推动白色家电的节能进程。”

英飞凌科技(中国)有限公司总裁兼执行董事赖群鑫表示：“2013年市场增长的主要驱动因素将来自市场创新、技术创新和产品创新，其中LED照明、电动汽车及新一代通信、云计算等新产业将形成新的经济增长点，如新能源车将继续积累力量，驱动系统从传统工业系统进步到真正的汽车级系统，动态平衡电池管理取代被动模式。”

产品关注小型、可靠与散热性

在功耗小的基础上，实现更高转换效率是功率半导体术开发主题。

如何在保证功耗小的基础上，实现更高的能源转换效率是功率半导体技术开发的主题。为此，很多功率半导体企业近年来在产品的小型化、高可靠与散热能力上，下足了工夫。

郑兆雄认为：“未来IC产品的创新和集成将围绕支持网络连接、提升智能程度及提高能效等领域展开;当然，减小尺寸及电路板占用空间，以配合造就轻薄时髦的产品，仍将是重要方向。这就要求采用创新的架构或技术，提高产品性能等级，增强能效，提升智能程度及减小尺寸。同样，创新的封装技术也将发挥重要作用。

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北京思旺电子技术有限公司总裁裴石燕表示，作为一家电源管理IC设计公司我们注意到一个需求趋势：客户对电源管理IC的精度要求越来越高，功耗要求越来越低，这就要求我们提供精度更高的电源管理IC。

精度要求越来越高功耗要求越来越低

对于电源管理IC来说，发展趋势就是更低的功耗、更低的噪音、更高的精度。比如智能手机、平板电脑等市场将持续快速增长，屏幕尺寸将越来越大，这些情况将给电池带来更大的压力。结果就是电池的充电电流将持续增长，以便电池能快速充满。我们已经储备了一些能够提供大电流充电的IC技术，这些芯片有精确的温度传感器，以便给大容量电池提供更快速的充电和更安全的充电设备。作为一家电源管理IC设计公司，我们注意到一个需求趋势：精度要求越来越高，功耗要求越来越低。这就要求我们提供精度更高的电源管理IC。IC产业已经有60多年的历史，在这60多年中，已经积累了应对产业上升与下降的种种经验。总的来说，IC产业还将继续成长。

LED照明、电机控制市场看好

2012年全球经济环境较为恶劣，被全球称为潜力发展区的亚太地区，尤其是中国大陆，经济增长率也呈现下调趋势。半导体行业发展备受冲击，不过高端半导体市场仍保持原有的较好发展势头。预计2013年全球经济状况会有所改善，对半导体的需求也会随之增长，市场总体将好于2012年。

富士通将根据市场需求，加大投资，研发符合市场需求的产品，比如LED照明方面，2012年年底已陆续推出了可支持PWM调光的LED驱动芯片MB39C602系列，2013年陆续会有新品推出;在新能源汽车方面，将设计开发更加高效的电池管理系统，以及可预测和提高电池使用寿命的产品。在电机和电控的核心研发上，将提高开发效率，提升安全规格。

功率器件助力网络化小型化

未来，电子产业的发展趋势是所有设备都将实现网络化、智能化和小型化。为了提升用户体验，半导体供应商面临更大挑战，须采用更先进的制造或封装技术，帮助系统厂商减小尺寸、提高集成度。

安森美半导体针对此趋势，新推出优化的超小超薄的小信号MOSFET——NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ，可用于平板电脑、智能手机、GPS系统等空间受限的便携式消费电子产品中。NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ被认为是业界最紧凑的小信号MOSFET，它们采用的0.62mm×0.62 mm×0.4mm XLLGA3封装，总表面封装面积仅为0.38mm2，是用于日渐缩小的便携产品中的极佳方案，可替代采用大得多封装面积的竞争产品。