Imec与新思科技扩大合作范围 将TCAD应用于10nm FinFET制程

【导读】比利时纳米电子研发机构爱美科(Imec)与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技(Synopsys)宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10纳米鳍式电晶体 (FinFET)制程。

摘要：  比利时纳米电子研发机构爱美科(Imec)与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技(Synopsys)宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10纳米鳍式电晶体 (FinFET)制程。

关键字：  晶片，  电脑，  解决方案

比利时纳米电子研发机构爱美科(Imec)与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技(Synopsys)宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10纳米鳍式电晶体 (FinFET)制程。

此合作案是以14纳米等制程为基础，而透过这项合作案，新思科技的Sentaurus TCAD 模型将可有效支援新世代FinFET 装置。双方的合作将包含新装置架构的3D建模(3-D modeling)，可协助半导体产业生产高效能、低功耗的产品。

爱美科逻辑程式部(logic program)总监Aaron Thean表示，该机构当前的研发重点在于解决10纳米制程所面临的半导体装置及材料上的挑战，而新思科技是TCAD技术的领导厂商，与新思科技合作将可强化其在先进研究领域的影响力。

爱美科与一流IC厂商合作研发先进CMOS微缩(scaling)技术。这项技术涉及的不只是如何缩小晶片尺寸，装置微缩(device scaling)还需要新材料(materials)、装置架构(device architectures)、3D整合及光学(photonics)等各式新技术的支援。爱美科与新思科技的合作特别强调FinFET与tunnel FET (TFET)在新装置架构的开发及最佳化(optimization)。

于12月8日至10日在旧金山所举办的2012年国际电子元件大会(IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM)上，爱美科发表了利用应力源(stressor)提升载子迁移率(carrier mobility)的研究论文，这对10纳米FinFET装置的微缩相当重要。而使用新思科技的TCAD工具将有助于爱美科加?速此项研究的发展。

新思科技矽晶工程事业群资深副总裁暨总经理柯复华表示：「与爱美科扩大合作有助于提升新思科技对于新世代FinFET装置建模的TCAD模拟工具。爱美科为一以先进研发著称的知名专业厂商，而双方的合作将有助于强化新思的TCAD解决方案。