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[导读]【导读】技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNT),推出一系列具有卓越效率,工作频率范围为DC至6 GHz的宽带、可级联达灵顿对放大器产品---TQP369180、TQP369181和TQP369182、T

【导读】技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNT),推出一系列具有卓越效率,工作频率范围为DC至6 GHz的宽带、可级联达灵顿对放大器产品---TQP369180、TQP369181和TQP369182、TQP369184,以及TQP369185。作为中频和射频缓冲器增益阶段的通用增益模块,这些产品具有强大的性能,可应用在从基站收发器和中继器到有线电视和卫星电视

摘要:  技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNT),推出一系列具有卓越效率,工作频率范围为DC至6 GHz的宽带、可级联达灵顿对放大器产品---TQP369180、TQP369181和TQP369182、TQP369184,以及TQP369185。作为中频和射频缓冲器增益阶段的通用增益模块,这些产品具有强大的性能,可应用在从基站收发器和中继器到有线电视和卫星电视系统、测试设备以及许多其他射频和微波系统的商业应用 。

关键字:  半导体,射频

 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNT),推出一系列具有卓越效率,工作频率范围为DC至6 GHz的宽带、可级联达灵顿对放大器产品---TQP369180、TQP369181和TQP369182、TQP369184,以及TQP369185。作为中频和射频缓冲器增益阶段的通用增益模块,这些产品具有强大的性能,可应用在从基站收发器和中继器到有线电视和卫星电视系统、测试设备以及许多其他射频和微波系统的商业应用 。   这些新的InGaP/GaAs(磷化镓铟/砷化镓)HBT射频集成电路增益模块包括提供15dB超平增益的TQP369180与TQP369181和提供20 dB增益的TQP369182与TQP369184。这些15 dB增益和20 dB增益模块有两种经济型的塑料封装形式可供选择。该系列产品的最新成员TQP369185增益可达至20.5 dB 和 提供19.7 dBm 的P1dB,同时集成一个内部有源偏置。所有产品电阻均内部匹配至50欧姆,只需要一个外置射频扼流圈、一个降压电阻和阻隔/旁路电容进行操作。另外它们还非常坚固耐用,满足Class 1C HBM(最高2 kV)的静电放电(ESD)要求。        增益模块是在所有类型的射频和微波系统中广泛使用的一些有源元件,它们必须结合卓越的性能与非常优异的成本效益。TriQuint的这五款新器件以两种封装形式和一系列增益级选择来满足这些要求,进而满足几乎任何设计需求,同时将功耗降到最低。其宽广的工作频率范围使它们非常适用于几乎任何透过6GHz的应用。   技术细节:所有五款新增益模块均为支持直流至6GHz工作频率范围的InGaP/GaAs HBT达灵顿可级联射频集成电路。它们提供Class 1C HBM 静电放电保护以及50欧姆内部匹配。  

TQP369180 15.7dB 增益;+15.2dBm P1dB;+30dBm OIP3;45mA 电流消耗;SOT-89 封装。
TQP369181 15.6dB 增益;+15.2dBm P1dB;+30dBm OIP3;45mA 电流消耗;SOT-363 封装。
TQP369182 22.3dB 增益;+16.1dBm P1dB,+29.5dBm OIP3;45mA 电流消耗;SOT-89 封装。
TQP369184 22dB 增益;+16.1dBm P1dB,+29.8dBm OIP3;45mA 电流消耗;SOT-363 封装。
TQP369185 20.4dB 增益;+19.8dBm P1dB,+32.3dBm OIP3;75mA 电流消耗;SOT-89 封装。

  TriQuint半导体公司的五款新达灵顿对射频集成电路增益模块已经量产。现在可提供样品、评估板和软件。欲了解产品细节请联系TriQuint,欲联系销售代表或离您最近的分销商,请登录http://cn.triquint.com/。若要获取产品更新信息和注册接收TriQuint的季度新闻通讯,请登录我们的网站。 关于TriQuint 成立于1985年的TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)是提供世界领先水平的通信、国防和航空航天公司创新射频解决方案与代工服务的全球领先供应商。世界各地的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系;TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识,TriQuint生产基于砷化镓 (GaAs)、氮化钾 (GaN)、声表面波 (SAW) 和声体波 (BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂,在哥斯达黎加拥有生产中心,在北美地区和德国拥有设计中心。欲知更多信息请访问http://cn.triquint.com/。   前瞻性声明 本TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNT)新闻稿包含依据1995年《私人证券诉讼改革法》的“安全港”条款所做的前瞻性声明。读者须知前瞻性声明包含风险与不确定性。本新闻稿中所做的警示性声明适用于所有相关声明,不论它们出现在什么地方。包含‘领先’、‘卓越’、‘强大’、‘先进’等字词或类似表述的声明应被视为包含不确定性和属于前瞻性声明。有许多因素都会影响TriQuint的经营结果,并可能造成其未来实际结果 与本新闻稿中或者由TriQuint或代表TriQuint所做的任何其他前瞻性声明中所述的任何结果出现实质性出入,这些因素包括但不限于:与客户对我们的产品与技术的接受程度及需求的不可预测性和变动性有关的因素,我们生产工厂的能力和我们的供应商在满足我们的需求方面的因素,我们生产工厂的能力和我们的供应商以足以保持盈利的产量来生产产品的因素,以及TriQuint在美国证券与交易委员会备案的最新10-Q报告中阐述的其他 “风险因素”。本报告和其他报告可在美国证券交易委员会网站 (www.sec.gov) 上找到。本新闻稿的读者应当理解,这些和其他风险因素可能造成实际结果与前瞻性声明中明示/暗示的期望出现实质性出入。   [!--empirenews.page--]
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