Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率以达到能源之星评级

【导读】Diodes公司推出同步$MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的$肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。

摘要：  Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。

关键字：  MOSFET控制器，  肖特基二极管，  适配器

Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。

这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广，介于5V至25V之间，可由适配器的19V供电轨直接供电，并且在瞬态过压状态下，保证器件正常工作。该器件拥有180V的 MOSFET漏极感应功能，有助设计师减少对外部箝位电路的需求，并能大幅减少配件数量和节省空间。

ZXGD3104N8的比例式闸极驱动操作能在漏极电流衰减时，避免MOSFET过早关闭，从而提高了电路效率，并把本体二极管的传导损耗减至最低。另外，该控制器的短暂关闭传播延迟通常为15ns，有助把电源电路的效率提升至最大水平。

有关进一步产品信息，可浏览www.diodes.com。