东芝称将在功率半导体投入大量资源登上业界首位的宝座

【导读】据介绍，东芝2011年度在功率半导体方面，对低耐压品和高耐压品，均将采用新的元器件构造，以制造电力转换效率高的产品。例如，低耐压MOSFET将把原来的“UMOS型”改为新构造，而高耐压MOS FET将导入具有东芝自主技术经验的Single Epi构造超结(Super Junction)MOS。据悉，IGBT的耐压部分将采用较薄的新构造。另外，针对要求高频工作的用途等，东芝正在开发采用SiC和GaN

摘要：  据介绍，东芝2011年度在功率半导体方面，对低耐压品和高耐压品，均将采用新的元器件构造，以制造电力转换效率高的产品。例如，低耐压MOSFET将把原来的“UMOS型”改为新构造，而高耐压MOS FET将导入具有东芝自主技术经验的Single Epi构造超结(Super Junction)MOS。据悉，IGBT的耐压部分将采用较薄的新构造。另外，针对要求高频工作的用途等，东芝正在开发采用SiC和GaN等新材料的功率半导体。

关键字：  功率半导体业务，  发布会，  市场份额

作为进行功率半导体业务的东芝公司在近期发布会上表示，夺取市场份额首位宝座的决心。因认为面向社会基础设施和汽车等的功率半导体市场将大幅增长，因此东芝首席常务执行董事、半导体和存储器社长小林清志表示，“我们将向功率半导体投入大量资源，希望在几年之内登上业界首位的宝座，领先于其他公司”。目前，该公司的市场份额在业界位居第三，功率半导体市场排名前十强的公司依次为：1. Infineon 2. Mitsubishi 3. Toshiba 4.STMicroelectronics 5. Vishay 6. International Rectifier 7. Fairchild 8. Fuji Electric 9. Renesas 10. Semikron。东芝准备将自主开发的元器件工艺技术及大口径化等作为竞争力的源泉，以提高市场份额。

据介绍，东芝2011年度在功率半导体方面，对低耐压品和高耐压品，均将采用新的元器件构造，以制造电力转换效率高的产品。例如，低耐压MOSFET将把原来的“UMOS型”改为新构造，而高耐压MOS FET将导入具有东芝自主技术经验的Single Epi构造超结(Super Junction)MOS。据悉，IGBT的耐压部分将采用较薄的新构造。另外，针对要求高频工作的用途等，东芝正在开发采用SiC和GaN等新材料的功率半导体。

东芝今后考虑，将把NAND闪存生产基地——该公司四日市工厂的200mm生产线制造设备，转用于功率半导体基地加贺工厂，从而实现“以少量的设备投资额，有效率地实现”大口径化和产能的提高。由此，将200mm晶圆在功率半导体总产能中所占的比例，到2013年提高至80%以上。并且，因同年加贺工厂的现有生产线将达到满负荷运转(Full Capacity)，所以估计需要新建厂房。关于后工序，将把2012年产量的80%、2013年产量的90%转移到海外，以降低生产成本。功率半导体的后工序在生产成本中所占的比例为40%左右，高于存储器等，因此海外转移的成效较大。

在发布消息后，东芝股价涨至346日元，涨幅为3%，这是东芝股价自7月24日以来的最大涨幅，股价也升至七周来新高。