瑞萨电子计划上市SiC功率半导体

【导读】瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)电路以及逆变器电路。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产，2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年度内，样品供货耐压提高至120

 瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)电路以及逆变器电路。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产，2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年度内，样品供货耐压提高至1200V的SiC-SBD。

 瑞萨此次上市的SiC-SBD，是在与日立制作所共同开发的技术基础上开发的。除了可将开关时的电力损失较Si制SBD降低40%外，还具有驱动电压只有1.5V的特点。据瑞萨介绍，验证导入PFC电路的效果发现，以SiC-SBD替换与Si制MOSFET相组合的Si制SBD后，工作效率提高了 0.3个百分点。“PFC电路的工作效率已提高到超过95%的水平，使用Si制SBD，效率基本没有提高。而采用SiC可提高0.3个百分点，这一效果非常显著”(瑞萨电子模拟&功率业务本部功率元器件业务部HV元器件设计部主管技师兼MOSFET•IGBT设计课课长金泽孝光)。样品价格为5000日元，是Si制SBD的数十倍。

 瑞萨除了将此次的SiC-SBD作为单独部件提供外，还计划以在同一封装中集成Si制IGBT及MOSFET的模块和裸片形态提供。共备有电流容量为 10A、15A、20A和30A的4款产品。封装目前与该公司Si制功率半导体制品的相同。备有两个引线端子，外形尺寸与TO-220实型(Full Mold)相当。工作温度的上限“采用SiC时虽能保证直到200℃左右，但此次采用现有封装的产品为175℃左右”(瑞萨电子模拟&功率业务本部功率元件业务部副业务部长饭岛哲郎)。今后会考虑开发能够耐200℃左右高温的SiC封装。

 该公司此为首次采用SiC开发功率半导体产品。决定踏入产品化的理由是：“由于在工作效率方面具有较大优势，因此，希望在倡导节能效果的高端机型中采用SiC的呼声日益强烈”(饭岛)。另外，最近一年里，罗姆和三菱电机等日本国内的功率半导体厂商纷纷决定上市SiC功率半导体也起到了推动作用。虽然实现产品化的时间稍显落后，但“我们可以自行生产与SiC-SBD组合使用的高性能IGBT、MOSFET以及控制IC，能够灵活地满足客户要求的性能指标，这是我们独有的优势”。