台积电18寸晶圆厂投资启动 2015年20纳米量产

关键词：台积电，晶圆，英特尔，嵌入式，射频，CMOS

台积电2011年资本支出将达78亿美元，年增31.4%，主要以提高研发竞争力为主，公司也在年关过后宣布，启动18寸晶圆厂投资计划，预计于2013年导入试产线，2015年以20纳米开始量产。

由于先进制程客户需求强劲，台积电也指出，降低客户成本，就可提高产品竞争力，相对的客户下单量也会增加，进一步就巩固了台积电的市占率。因此，台积电率先启动18寸晶圆厂投资计划，预料将以20纳米导入，制程技术将超越英特尔的22纳米，也成为继英特尔之后，全球第2家投资18寸厂确定的半导体大厂。

此外，台积电也和无线连接、定位与音讯平台领导厂商CSR扩大合作关系，CSR已采用台积电先进的90纳米嵌入式快闪记忆体制程技术、矽智财与射频CMOS制程推出新一代的无线产品，比上一代0.18微米制程技术与矽智财快2倍，非常符合可携式通讯、智慧卡，和高速微控制器等应用的需求。

台积电全球业务暨行销资深副总经理陈俊圣指出，此次与CSR的技术合作是台积电促进欧洲逻辑IC创新承诺的例证，台积的90纳米嵌入式快闪记忆体制程技术与矽智财支援高效能、低功耗和高密度记忆体，搭配本公司射频CMOS制程，协助CSR推出新一代系统单晶片产品。

CSR营运执行副总裁ChrisLadas强调，CSR和台积电在这次90纳米嵌入式快闪记忆体制程技术的密切合作，使得CSR维持领先开发弹性、整合度高的SoC平台，为消费性电子音讯应用提供杰出的系统效能和最小尺寸的竞争优势。