国际整流器推出首批商用氮化镓集成功率级器件

国际整流器公司(IR)环球市场及企业传信副总裁Graham Robertson先生3月5日在深圳新闻发布会上宣布了一个令人振奋的消息：“IR推出了 行业首个商用氮化镓集成功率级产品系列GaNpowerIR。”

据Graham Robertson先生介绍，GaNpowerIR这款开创先河的氮化镓功率器件技术平台是IR经过5年的时间，基于其专有硅上氮化镓外延技术 研究开发的成果。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的，包括服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC 转换器。GaNpowerIR是一种革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台，与最先进的硅技术平台相比，能够改善客户主要特定应用的性能指数 (FOM) 高达10倍，可以显著提高性能并节省能源消耗。Graham Robertson先生表示：“以硅为材料的器件从2007年之后性能已经趋于成熟，而 以氮化镓为材料的器件的效率持续得到提高。更为重要的，其他的器件通常是以高成本换取高性能和高密度，而氮化镓器件性能和密度很有优 越性，但成本很低。”

Graham Robertson给记者分析说：“iP2010和iP2011系列集成了高度复杂、非常先进的超快速PowIRtune驱动器IC，并匹配一个多开关单片 氮化镓功率器件。由于氮化镓本身的优点，使得IP2010/IP2011具有全球最佳功率级效率。当负载为30A，在600kHz下的典型功耗仅为3.2W，峰 值效率大于93%，在1.2mHz是峰值效率大于91%，效率可以从3.5%提升到7%。”

他还表示，iP2010和iP2011具有突破性的开关频率，通过将开关频率从400kHz提高一倍至800kHz，相对于业界的分立方案和DrMOS方案， iP2010和iP2011电路板的空间可以缩小30%到40%，这是业界唯一能够实现高效的多赫兹运行的高电流功率级产品。另外，这两种器件采用细小 占位面积的LGA封装，为极低的功率损耗作出了优化，并提供高效率的双面冷却功能，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。